[实用新型]一种探测器芯片

说明书

本实用新型公开一种探测器芯片，包括衬底、有源层、N型电极、P型电极、支撑柱，衬底上设置有源层，有源层包括N型半导体层、P型半导体层、吸收层，吸收层为InGaAs吸收层，采用光刻、腐蚀工艺去掉衬底上有源层的一部分，采用光刻、蒸发、溅射、电镀的方式在衬底上制成N型电极。本实用新型结构简单，在芯片上设置支撑柱，有效防止研磨过程中芯片表面的损伤。

技术领域

本实用新型涉及台面芯片技术领域，具体涉及一种探测器芯片。

背景技术

近年来，为了满足人们对信息传递的要求，光通信网络逐步向高速、全光网方向发展。半导体光电探测器作为光通信网络中重要的接收器件，其性能影响整个光通信网络的运转。评价光电探测器的主要指标有：响应度、暗电流、-3dB带宽、响应波长范围等，此外还有工艺难度、生产成本和是否易于光电集成等因素。

探测器芯片作为台面型芯片的一种，在制作过程中需要对衬底的底面进行研磨，研磨过程中芯片最高处与压力件直接接触，在研磨的过程中会芯片最高处出现损伤。

实用新型内容

本实用新型的目的在于克服现有技术的不足，提供一种探测器芯片。

为实现上述目的，本实用新型提供了如下技术方案来实现的：

一种探测器芯片，包括衬底、有源层、N型电极、P型电极、支撑柱，在衬底上生长有源层，有源层包括N型半导体层、P型半导体层、吸收层，吸收层为采用InGaAs材料制成，采用光刻、腐蚀工艺去掉衬底上有源层的一部分使衬底露出，在衬底露出的部分采用光刻、蒸发、溅射、电镀的方式制成N型电极，再采用光刻、蒸发、溅射、电镀的方式在有源层上制成P型电极，支撑柱的最高点高于P型电极的最高点。

作为优选，支撑柱的截面为圆形或者矩形或者多边形。

作为优选，支撑柱的数量为一个，设置在芯片四个边角处的其中一个；或者支撑柱的数量为两个，设置在芯片四个边角处中对称的两个；或者支撑柱的数量为四个，分别设置在芯片的四个边角处。

作为优选，支撑柱设置在衬底露出的部分上；或者，支撑柱设置在有源层上。

作为优选，支撑柱的材料为Ti、Pt、Cr、Au中的一种或者几种组合。

作为优选，衬底为磷化铟衬底、硅衬底或砷化镓衬底。

作为优选，所述支撑柱可以是通过蒸发的方式，也可以通过刻蚀的方法形成，所述刻蚀可以采用干法刻蚀也可以采用湿法刻蚀。

与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：对衬底底面进行研磨时，由支撑柱顶端代替芯片与陶瓷盘接触，避免在研磨过程中芯片表面压在陶瓷盘上而摩擦受损。

附图说明

图1为本实用新型的结构示意图；

图2为本实用新型另一实施例的结构示意图；

图3为本实用新型中有源层的结构示意图。

附图标记：1、衬底；2、有源层；3、N型电极；4、P型电极；5、支撑柱；21、N型半导体层；22、吸收层；23、P型半导体层。

具体实施方式

下面结合附图1-3对本本实用新型的实施例进行详细阐述。

实施例1