[实用新型]一种腔体隔绝环

说明书

本实用新型提供了一种腔体隔绝环，所述的腔体隔绝环包括环状主体和位于其底部的环状底座，所述的环状底座为环形凹槽结构，所述的环状主体与环状底座的外周面相接，所述的环状底座的外周壁上开设至少一个通孔。本实用新型提供的腔体隔绝环可以极大地改善PVD镀膜机的镀膜均匀性，通过将晶圆安装在本实用新型提供的腔体隔绝环内部，通过环状底座均匀分布的致密通孔，确保了腔体隔绝环内部的气流稳定，实现晶圆表面均匀镀膜。

技术领域

本实用新型属于半导体加工技术领域，涉及一种腔体隔绝环，尤其涉及一种用于半导体PVD加工的腔体隔绝环。

背景技术

在半导体制造工艺中，随着半导体电子设备朝着紧密化的迅速发展，要求更高精度的加工处理。在这样的精细工艺中，尤其是在薄膜形成工序中，一般是利用溅射法来进行成膜。溅射法是指，在真空气氛中通过引起气体放电而产生等离子体，使该等离子体的阳离子碰撞到被称作为溅射电极的负极上设置的靶材(或者溅射靶材)上，通过该碰撞，溅射的离子附着在被处理衬底而形成薄膜的方法。

目前，作为溅射法，广泛采用物理气相沉积(PVD)溅射工艺。该PVD溅射工艺是在真空腔体中进行，对于靶材施加直流电压、对于线圈施加射频电压，对于被加工物，例如衬底，施加偏置电压。在真空气氛中，通过导入工作气体产生等离子体放电，使该等离子体碰撞到靶材，这样，通过碰撞而溅射出来的金属被离子化，离子化的金属附着在作为被加工物上，由此，在作为被加工物的衬底上形成薄膜。

在半导体PVD镀膜生产过程中，由于靶材表面气体氛围不均匀、磁铁组产生的磁场不均匀等各种因素经常会出现晶圆表面镀膜不均匀的现象发生，因此需要设计一种用于改善平面靶镀膜均匀性的装置。

实用新型内容

针对现有技术存在的不足，本实用新型的目的在于提供一种腔体隔绝环，本实用新型提供的腔体隔绝环可以极大地改善PVD镀膜机的镀膜均匀性，通过将晶圆安装在本实用新型提供的腔体隔绝环内部，通过环状底座均匀分布的致密通孔，确保了腔体隔绝环内部的气流稳定，实现晶圆表面均匀镀膜。

为达此目的，本实用新型采用以下技术方案：

本实用新型提供了一种腔体隔绝环，所述的腔体隔绝环包括环状主体和位于其底部的环状底座，所述的环状底座为环形凹槽结构，所述的环状主体与环状底座的外周面相接，所述的环状底座的外周壁上开设至少一个通孔。

在半导体PVD镀膜生产过程中，为了提高薄膜的均匀性，通常会在机台上设置一些部件用来控制内部的磁场，气流等，保证晶圆上能均匀镀一层薄膜。本实用新型提供的腔体隔绝环通过与PVD镀膜机配合使用，可以极大地改善PVD镀膜机的镀膜均匀性，通过将晶圆安装在本实用新型提供的腔体隔绝环内部，通过环状底座均匀分布的致密通孔，确保了腔体隔绝环内部的气流稳定，实现晶圆表面均匀镀膜。

本实用新型提供的腔体隔绝环的使用过程如下：

在半导体PVD镀膜加工过程中，将腔体隔绝环固定于PVD镀膜机的加工台上，晶圆置于腔体隔绝环内部，靶材位于晶圆正上方。开启PCD镀膜机，向PVD镀膜机内充入工作气体(工作气体主要用于检漏、沉膜，本领域常用氩气作为工作气体)，工作气体流经晶圆时，由于腔体隔绝环上致密通孔的引流隔绝作用，使得流经晶圆表面的氩气气流均匀分布，从而改善了晶圆表面镀膜的均匀性。

作为本实用新型一种优选的技术方案，所述的环状底座的包括同心嵌套的外周环壁和内周环壁，外周环壁位于内周环壁外围，外周环壁的底部和内周环壁的底部通过环形薄层连接，所述的外周环壁、内周环壁和环形薄层形成环形凹槽结构。