[实用新型]一种循环槽体潜排系统有效
申请号: | 201921562532.9 | 申请日: | 2019-09-19 |
公开(公告)号: | CN210182344U | 公开(公告)日: | 2020-03-24 |
发明(设计)人: | 戴洪烨;王相军 | 申请(专利权)人: | 上海釜川自动化设备有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/02 |
代理公司: | 北京专赢专利代理有限公司 11797 | 代理人: | 于刚 |
地址: | 201800 上海市嘉定*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 循环 槽体潜排 系统 | ||
本实用新型涉及链式湿法处理设备技术领域,具体公开了一种循环槽体潜排系统,包括硅片、主槽和副槽,所述主槽的两侧均设有溢流区,溢流区通过管道与副槽连通,主槽的上部设有多个间隔均匀分布的传动辊,硅片的上表面附有保护液;所述循环槽体潜排系统还包括潜排组件和用于将副槽内的腐蚀液输送到主槽内的输送组件。该循环槽体潜排系统的硅片在传动辊的转动下水平移动进入主槽时,硅片的下表面与腐蚀液接触并发生化学腐蚀反应,反应产生的水及反应物会存留在传动辊与传动辊之间的腐蚀液中,通过潜排管的排水口可以及时流向副槽,使得主槽区域表层液面无因水流造成的明显波动,而且局部腐蚀液均匀性得到很好的保证。
技术领域
本实用新型涉及链式湿法处理设备技术领域,具体是一种循环槽体潜排系统。
背景技术
在链式湿法处理设备中,往往会采用槽体容器盛装配比的化学药品对目标物体进行化学腐蚀处理,目前行业内采用的槽体容器基本为硅片运动方向前后两端溢流,或将容器在硅片运动方向分割成若干小槽进行多处溢流;并安装有分体式副槽,液体从主反应槽通过溢流区及管道流到副槽,然后通过泵浦再注入主槽,如此循环。
但是,常规的这种槽型结构具有一定缺陷:1.两侧溢流,往往槽面未溢流的侧边会存在死区,尤其是槽体中部区域;2.有些化学反应会产生水和其它反应物,由于传动辊的阻挡,传动辊与传动辊之间的区域会滞留水和反应物,从而导致生产过程中局部区域内化学药品被稀释或浓度不均匀现象,槽面越大、槽越长则表现得更为明显。若采用多腔室结构,虽然可以有限地加快局部区域换液速度,但是针对硅片单面腐蚀,容易造成硅片正面被误腐蚀,由于硅片需要多次进出有液槽体区域,硅片运行过程中的冲击力容易造成液面波动,导致腐蚀性液体翻到硅片正面,造成过刻不良。
为了解决链式槽体循环死区和局部腐蚀液浓度不均的难题,本实用新型提出了一种循环槽体潜排系统,在使用过程中既可以确保槽内液面的平稳性,又能有效解决槽体循环死区和局部腐蚀液浓度不均的问题。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种循环槽体潜排系统,以解决上述背景技术中提出的问题。
为实现上述目的,本实用新型提供如下技术方案:
一种循环槽体潜排系统,包括硅片、主槽和副槽,所述主槽的两侧均设有溢流区,主槽上设有挡水板,溢流区通过管道与副槽连通,主槽的上部设有多个间隔均匀分布的传动辊;
所述循环槽体潜排系统还包括潜排组件和用于将副槽内的腐蚀液输送到主槽内的输送组件。
作为本发明进一步的方案:所述潜排组件包括潜排管和汇流管道,相邻两个传动辊之间设有潜排管,潜排管的入水口位于液面下方并接近液面,潜排管与汇流管道连通,汇流管道与副槽连通;硅片在传动辊转动下水平移动进入主槽时,硅片的下表面与腐蚀液接触并发生化学腐蚀反应,反应产生的水及反应物会存留在传动辊与传动辊之间的腐蚀液中,接近液面的表层腐蚀液通过潜排管的排水口可以及时流向副槽,使得主槽区域表层液面无因水流造成的明显波动,而且局部腐蚀液均匀性得到很好的保证。
作为本发明进一步的方案:所述潜排管的排水口位于主槽内腐蚀液的液面下侧,并接近液面。
所述进液管设置在主槽的底部,水泵的进口通过管道与副槽连通,水泵的出口通过管道与进液管连通;在运行过程中,通过水泵抽取副槽内的腐蚀液并输送至进液管,经进液管输送到主槽内,一部分腐蚀液溢流到溢流区内,再经管道回到副槽内,还有一部分腐蚀液通过潜排管的排水口流回副槽内,如此循环。
作为本实用新型进一步的方案:所述溢流区设置在硅片运动方向上的主槽的前后两端。
作为本实用新型进一步的方案:所述硅片的上表面附有保护液,保护液为水;主槽内腐蚀液的液面高度被严格控制在与硅片下表面极度接近的位置,硅片的上表面被保护液覆盖可以避免被腐蚀性气体腐蚀,所以只腐蚀硅片的下表面。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造