[实用新型]一种适用于PECVD设备的桨杆装置有效
申请号: | 201921563314.7 | 申请日: | 2019-09-19 |
公开(公告)号: | CN210575881U | 公开(公告)日: | 2020-05-19 |
发明(设计)人: | 王玉明;刘景博;陈晖;张庶 | 申请(专利权)人: | 苏州拓升智能装备有限公司 |
主分类号: | H01L21/677 | 分类号: | H01L21/677;H01L31/18;C23C16/458 |
代理公司: | 北京远大卓悦知识产权代理事务所(普通合伙) 11369 | 代理人: | 韩飞 |
地址: | 215000 江苏省苏州市*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 适用于 pecvd 设备 装置 | ||
本实用新型公开了一种适用于PECVD设备的桨杆装置,包括:桨杆组件;以及固接于所述桨杆组件末端的承重杆夹紧组件;其中,所述承重杆夹紧组件末端固接有高度调节组件,所述高度调节组件可对所述承重杆夹紧组件末端高度微调。本实用新型具有采用增大接触面积及夹持组件之间材料硬度差异化的办法即增大了摩擦因数,适当减小装夹力,既能满足装夹要求,又可避免被夹持零件的损伤,调节组件即可微调推舟前端高度又可抑制推舟搬运石墨舟时产生的倾覆的有益效果。
技术领域
本实用新型涉及管式PECVD石墨舟推舟领域。更具体地说,本实用新型涉及一种适用于PECVD设备的桨杆装置。
背景技术
太阳能电池是一种具有光-电转换特性的半导体器件,它直接将太阳辐射能转换成直流电,是光伏収电的最基本单元,在太阳能收集转化过程中,太阳光照射到太阳能电池的硅片上,其中一部分太阳光会被反射,即使对将硅表面设计成绒面,虽然入射光会产生多次反射可以增加光的吸收率,但是,还是会有一部分的太阳光会被反射,据测算,光在硅表面的反射损失率高达 35%左右,减反膜可以极高地提高电池片对太阳光的利用率,有助于提高光生电流密度,进而提高转换效率,同时薄膜中的氢对于电池片表面的钝化降低了发射结的表面复合速率,减小了暗电流,提升了开路电压,提高了光电转换效率;在烧穿工艺中的高温瞬时退火断裂了一些Si-H、N-H键,游离出来的H进一步加强了对电池的钝化。
薄膜制备工艺按照其成膜方法可分为两大类:物理气象沉积(PVD)和化学气象沉积(CVD)。等离子增强型化学气相沉积(PECVD)是化学气相沉积的一种,PECVD(PlasmaEnhanced Chemical Vapor Deposition)等离子增强化学气相沉积,等离子体是物质分子热运动加剧,相互间的碰撞会导致气体分子产生电离,物质就会变成自由运动并由相互作用的正离子、电子和中性粒子组成的混合物,其沉积温度低是其最突出的优点。PECVD的薄膜具有优良的电学性能、良好的衬底附着性以及极佳的台阶覆盖性。
随着PECVD设备的产能要求越来越高,由最初的单管240片发展到现在的432片,石墨舟的尺寸变的越来越大,PECVD设备也由当初的两管发展到现在的五管,单台设备中石墨舟使用频率也在增高,桨杆装置在取放石墨舟的过程中桨杆频繁受到石墨舟的重载冲击,导致桨杆紧固位置容易损坏并且出现紧固松动现象。以往的桨杆装置相对于水平面的角度固定后不可调节,各固定零件无法保证绝对的水平精度,并且桨杆装置在使用一段时间后会产生一定的形变,石墨舟在桨杆装置上放置时容易向较低一侧倾覆。桨杆因其材质较脆在推舟机构属于易损件,以往设计中桨杆为一段式设计,当桨杆损坏时需将整个桨杆更换,设备保养成本偏高。
有鉴于此,实有必要开发一种适用于PECVD设备的桨杆装置,用以解决上述问题。
实用新型内容
针对现有技术中存在的不足之处,本实用新型的目的是提供一种适用于 PECVD设备的桨杆装置,其采用增大接触面积及夹持组件之间材料硬度差异化的办法即增大了摩擦因数,适当减小装夹力,既能满足装夹要求,又可避免被夹持零件的损伤,调节组件即可微调推舟前端高度又可抑制推舟搬运石墨舟时产生的倾覆。
为了实现根据本实用新型的这些目的和其它优点,提供了一种适用于 PECVD设备的桨杆装置,包括:桨杆组件;以及
固接于所述桨杆组件末端的承重杆夹紧组件;
其中,所述承重杆夹紧组件末端固接有高度调节组件,所述高度调节组件可对所述承重杆夹紧组件末端高度微调。
优选的是,所述桨杆组件包括:至少一个的桨杆,且两所述桨杆相互平行设置;
固接于两所述桨杆前端的连接板;
固接于两所述桨杆之间且位于所述桨杆中部的第一保持板;以及
固接于两所述桨杆之间且位于所述桨杆末端的第二保持板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造