[实用新型]水平砷化镓单晶切片用粘接台及精准粘接装置

说明书

本实用新型提供了一种水平砷化镓单晶切片用粘接台及精准粘接装置。该粘接台的横截面呈L型结构，包括相互连接的水平台和竖直台，且所述水平台的水平台面和所述竖直台的竖直台面互成90°夹角，且所述夹角的误差为±0.005°。该粘接台采用精度非常高的L型结构，且水平台和竖直台之间的夹角确保为90°，结构简单且操作方便，以解决现有技术中用于单晶多线切割前的粘接装置结构较复杂且操作较繁琐的技术问题。

技术领域

本实用新型涉及半导体材料设备技术领域，具体涉及一种水平砷化镓单晶切片用粘接台及精准粘接装置。

背景技术

砷化镓(GaAs)是目前III—V族化合物半导体中的领军材料，应用相当广泛。GaAs目前已经成为一种重要的微电子和光电子基础材料，广泛应用于移动通讯，光纤通讯，汽车电子，卫星通讯和全球定位系统等领域。

水平砷化镓单晶采用多线切割机进行切片，切割开始前，需要将单晶粘接在多线切割机的工作台模板上，通过模板将砷化镓单晶固定到多线切割机上进行切片，并通过模板与多线的相对运动完成切片，为了保证晶片晶向的准确性，要求多线的运动平面与单晶晶向基准面平行，这就要求单晶固定在模板上时，晶向不能有偏差，如果出现偏差，所切晶片的晶向与晶向基准面的晶向不同，造成晶片的晶向不合格。

但是，目前水平砷化镓单晶多线切割前的粘接装置结构较繁琐，操作较麻烦且耐磨性差。

实用新型内容

本实用新型的主要目的在于提供一种水平砷化镓单晶切片用粘接台及精准粘接装置，该粘接台采用精度非常高的L型结构，且水平台和竖直台之间的夹角确保为90°，结构简单且操作方便，以解决现有技术中用于单晶多线切割前的粘接装置结构较复杂且操作较繁琐的技术问题。

为了实现上述目的，根据本实用新型的第一方面，提供了一种水平砷化镓单晶切片用粘接台。

该水平砷化镓单晶切片用粘接台的横截面呈L型结构，包括相互连接的水平台和竖直台，且所述水平台的水平台面和所述竖直台的竖直台面互成90°夹角，且所述夹角的误差为±0.005°。

进一步的，所述水平台和所述竖直台均为长方体结构，且所述水平台的长度为300-500mm，宽度为200-400mm，高度为20-40mm；所述竖直台的长度为300-500mm，宽度为100-200mm，高度为10-30mm。

进一步的，所述水平台的长度为400mm，宽度为300mm，高度为30mm；所述竖直台的长度为400mm，宽度为150mm，高度为20mm。

进一步的，所述水平台的承重≥50Kg，其材质为铸铁。

为了实现上述目的，根据本实用新型的第二方面，提供了一种精准粘接装置。

该精准粘接装置包括光源、模板以及上述的水平砷化镓单晶切片用粘接台，其中，所述模板的一侧面与所述水平台紧靠定位，所述模板的另一侧面与所述竖直台紧靠定位，并且与所述水平台紧靠定位的一侧面和与所述竖直台紧靠定位的另一侧面为相邻侧面；所述光源用于提供照射光。

本实用新型的优点：

1、确保切割的晶片的晶向与晶向基准面的晶向相同，且误差在1分以内；

2、结构简单、操作方便，提高生产效率；

3、耐磨性好，可以长期使用而免于维护，提高了粘接台的使用寿命。

附图说明

通过阅读下文优选实施方式的详细描述，各种其他的优点和益处对于本领域普通技术人员将变得清楚明了。附图仅用于示出优选实施方式的目的，而并不认为是对本实用新型的限制。而且在整个附图中，用相同的参考符号表示相同的部件。在附图中：

图1为本实用新型中水平砷化镓单晶切片用粘接台的主视图；