[实用新型]一种半导体设备

说明书

本实用新型提出一种半导体设备，该半导体设备包括：生长腔体；清洗腔体，连接于所述生长腔体之前；其中，当基板设置在所述清洗腔体内时，所述清洗腔体内形成等离子体，所述等离子体用于对所述基板进行清洗。本实用新型提出的半导体设备设计合理，能够提高镀膜的均匀性。

技术领域

本实用新型涉及半导体领域，特别涉及一种半导体设备。

背景技术

随着集成电路生产技术的不断进步，电路芯片的集成度得到大幅提升。目前，在一片芯片中所集成的晶体管数量已经达到了惊人的几千万个，数量如此庞大的有源元件的信号集成需要多达十层以上的高密度金属互联层进行连接。因此，作为制备上述金属互联层的重要工艺，物理气相沉积(Physical Vapor Deposition，以下简称PVD)技术得到了广泛应用。

通常情况下，磁控溅射设备在沉积时不对基板进行预处理，导致镀膜均匀性差，使得后续步骤复杂，导致工作效率低。

实用新型内容

鉴于上述现有技术的缺陷，本实用新型提出一种半导体设备，以提高镀膜的均匀性，简化操作过程，提高工作效率。

为实现上述目的及其他目的，本实用新型提出一种半导体设备，该半导体设备包括：

生长腔体；

清洗腔体，连接于所述生长腔体之前；

其中，当基板设置在所述清洗腔体内时，所述清洗腔体内形成等离子体，所述等离子体用于对所述基板进行清洗。

在一实施例中，所述清洗腔体内设置一基板支撑组件及一电极，所述基板支撑组件和所述电极相对设置。

在一实施例中，所述基板支撑组件包括台座电极及静电卡盘，所述静电卡盘设置在所述台座电极上。

在一实施例中，所述静电卡盘用于设置所述基板。

在一实施例中，所述基板支撑组件升降旋转，以调整所述基板与所述电极之间的距离。

在一实施例中，所述电极升降旋转，以调整所述电极与所述电极之间的距离。

在一实施例中，当所述基板支撑组件和所述电极同时旋转时，所述基板支撑组件和所述电极之间存在速度差。

在一实施例中，所述清洗腔体还包括一进气口，所述进气口靠近所述电极。

在一实施例中，所述清洗腔体还包括一抽气口，所述抽气口靠近所述基板支撑组件。

在一实施例中，该导体设备还包括：

运送腔体，所述生长腔体及所述清洗腔体设置在所述运送腔体的侧壁上；

预热腔体，设置在所述运送腔体的侧壁上；

过渡腔体，设置在所述运送腔体的侧壁上。

综上所述，本实用新型提出一种半导体设备，通过在生长腔体之前设置一清洗腔体，通过该清洗腔体可去除基板表面上的污染物和颗粒，从而当基板在生长腔体内沉积薄膜时，可提高薄膜的均匀性。

附图说明

图1：本实施例提出的半导体设备的简要示意图。

图2：本实施例中升降旋转机构简要示意图。

图3：本实施例中清洗腔体的另一简要示意图。

图4：本实施例中衬套及线圈组件的简要示意图。

图5：本实施例中半导体设备的简要示意图。

具体实施方式