[实用新型]一种半导体设备

说明书

本实用新型提出一种半导体设备，包括：生长腔体；基座，设置在所述生长腔体内，所述基座允许放置基板；靶材，设置在所述生长腔体内；磁体，设置在所述靶材的相对的位置上；其中，所述基座连接一旋转机构，所述旋转机构带动所述基座旋转。本实用新型提出的半导体设备设计合理，能够提高镀膜的均匀性。

技术领域

本实用新型涉及半导体领域。特别涉及一种半导体设备。

背景技术

在微电子产品行业，磁控溅射技术作为生产集成电路、液晶显示器、薄膜太阳能电池及 LED等产品的重要手段之一，受到广大厂商的高度重视。所谓溅射是指荷能粒子(例如氩离子)轰击固体表面，引起表面各种粒子(如原子、分子或团束)从该物体表面逸出的现象。

工艺中，磁控溅射过程可为：工艺腔室中的电子在电场作用下向基片运动，在飞向基片的过程中与氩原子碰撞，使氩原子电离得到带正电的氩离子和二次电子；其中，氩离子向具有负电势的靶材方向加速运动的过程中获得动量，轰击靶材使靶材发生溅射，以生成溅射粒子；二次电子在电场和外加磁铁产生的磁场的作用下，其运动轨迹近似于一条摆线，二次电子在沿其轨迹运动的过程中继续碰撞氩原子以电离得到新的氩离子和新的二次电子；再者，氩离子轰击靶材所生成溅射粒子中的中性靶材原子或分子迁移到硅片表面，并通过沉积的方式在硅片表面凝聚以形成薄膜，该薄膜具有和靶材基本相同的组份；且在由氩离子轰击靶材时所产生的尾气或其它杂质可由真空泵抽走。

但是在上述工艺中，在实际应用中会存在以下问题：直接溅射完成后薄膜的均匀性较差，使得在下一步的工艺中还需要后续处理，工艺过程繁琐。

实用新型内容

鉴于上述现有技术的缺陷，本实用新型提出一种半导体设备，以提高薄膜的均匀性，简化工艺过程。

为实现上述目的及其他目的，本实用新型提出一种半导体设备，该半导体设备包括：

生长腔体；

基座，设置在所述生长腔体内，所述基座允许放置基板；

靶材，设置在所述生长腔体内；

磁体，设置在所述靶材的相对的位置上；

其中，所述基座连接一旋转机构，所述旋转机构带动所述基座旋转。

在一实施例中，所述旋转机构包括旋转电机及转动轴。

在一实施例中，所述旋转电机连接所述转动轴的一端，所述转动轴的另一端连接所述基座。

在一实施例中，所述旋转机构还包括一控制单元，所述控制单元连接所述旋转电机。

在一实施例中，所述控制单元调节所述旋转电机的转速。

在一实施例中，所述半导体设备还包括一升降机构，所述升降机构连接所述旋转机构。

在一实施例中，所述升降机构包括驱动电机，丝杠及导向杆。

在一实施例中，所述驱动电机连接所述丝杠，所述丝杠的一端设置在所述导向杆内。

在一实施例中，所述导向杆连接所述基座。

在一实施例中，所述基座还包括多个加热器。

本实用新型提出一种半导体设备，通过基座旋转，改善了溅射离子在基板表面的沉积过程，从而提高了薄膜的均匀性，提高了工艺质量，简化了工艺过程。

附图说明

图1：本实施例提出的半导体设备的简要示意图。

图2：本实施例提出的另一种半导体设备的简要示意图。

图3：本实施例中升降旋转机构的剖视图。