[实用新型]一种低阻抗铜膜

权利要求书

1.一种低阻抗铜膜，包括基材层（10）、起导电功能的纳米铜层（12），其特征在于：还包括设置于所述基材层（10）与所述纳米铜层（12）之间增强所述纳米铜层（12）的附着力的二氧化锆连接层（11）、覆盖于所述纳米铜层（12）上改善所述纳米铜层（12）视觉效果的黑化层（13）。

2.根据权利要求1所述的一种低阻抗铜膜，其特征在于：所述基材层（10）的厚度为50um-125um。

3.根据权利要求1所述的一种低阻抗铜膜，其特征在于：所述二氧化锆连接层（11）的厚度为5-20nm。

4.根据权利要求1所述的一种低阻抗铜膜，其特征在于：所述纳米铜层（12）的厚度为200-1000nm。

5.根据权利要求1所述的一种低阻抗铜膜，其特征在于：所述黑化层（13）的厚度为10-50nm。

6.根据权利要求1所述的一种低阻抗铜膜，其特征在于：所述基材层（10）为聚对苯二甲酸乙二酯薄膜、聚酰亚胺薄膜、聚碳酸酯薄膜、聚甲基丙烯酸甲酯薄膜、聚脂塑料薄膜、环氧塑料薄膜中的一种。

7.根据权利要求1所述的一种低阻抗铜膜，其特征在于：所述基材层（10）的反面覆盖有PET高温保护膜层（15），厚度为50-125um。

8.根据权利要求1所述的一种低阻抗铜膜，其特征在于：所述黑化层（13）上覆盖有PE保护膜或PP保护膜层（14），厚度为30-50um。

9.据权利要求1所述的一种低阻抗铜膜，其特征在于：所述二氧化锆连接层（11）是由二氧化锆靶材通过溅射工艺形成于所述基材层（10）上的，所述黑化层（13）是由氮化铜靶材，或者结合氧化铜靶材、铜铬合金靶材与氧化铬合金靶材中的一种通过溅射工艺形成于所述纳米铜层（12）上的。