[实用新型]一种反向稳压LED芯片有效
| 申请号： | 201921611519.8 | 申请日： | 2019-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN210379100U | 公开（公告）日： | 2020-04-21 |
| 发明（设计）人： | 王硕;庄家铭;崔永进 | 申请（专利权）人： | 佛山市国星半导体技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/08 | 分类号： | H01L33/08;H01L33/24;H01L33/00 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 胡枫;李素兰 |
| 地址： | 528200 广东省佛山市南海区狮*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 反向 稳压 led 芯片 | ||
1.一种反向稳压LED芯片，其特征在于，包括：衬底、外延层、第一刻蚀道、第一发光结构和至少一个第二发光结构；所述外延层设于所述衬底上，并通过刻蚀至所述衬底的第一刻蚀道分为第一区域和第二区域；
所述第一发光结构设于所述第一区域；所述第二发光结构设于所述第二区域；所述第一发光结构和第二发光结构串联；且所述第一发光结构和第二发光结构电流传输方向相反。
2.如权利要求1所述的反向稳压LED芯片，其特征在于，还包括第一二次电极和第二二次电极；
所述第一发光结构包括第一电极和第二电极，所述第二发光结构包括第三电极和第四电极；
所述第一电极和所述第四电极通过横跨所述第一刻蚀道的所述第二二次电极实现电连接；
所述第二电极和所述第三电极通过横跨所述第一刻蚀道的所述第一二次电极实现电连接。
3.如权利要求1或2所述的反向稳压LED芯片，其特征在于，所述第二区域还设有第二刻蚀道和第三二次电极；所述第二刻蚀道刻蚀至所述衬底；
相邻的第二发光结构通过所述第二刻蚀道隔开，并通过所述第三二次电极实现电连接。
4.如权利要求1所述的反向稳压LED芯片，其特征在于，所述第一区域的面积：第二区域的面积为(2～5)：(0.5～1.5)。
5.如权利要求1所述的反向稳压LED芯片，其特征在于，所述第二区域设有2～8个第二发光结构和1～7条第二刻蚀道。
6.如权利要求1所述的反向稳压LED芯片，其特征在于，所述第一刻蚀道和第二刻蚀道侧壁具有倾斜角度。
7.如权利要求6所述的反向稳压LED芯片，其特征在于，所述倾斜角度≤60度。
8.如权利要求1所述的反向稳压LED芯片，其特征在于，所述第一发光结构和第二发光结构还包括电流阻挡层、电流扩散层和钝化层。
9.如权利要求1所述的反向稳压LED芯片，其特征在于，所述第一发光结构和第二发光结构平行设置。
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