[实用新型]一种反向稳压LED芯片

说明书

本实用新型公开了一种反向稳压LED芯片，其包括：衬底、外延层、第一刻蚀道、第一发光结构和至少一个第二发光结构；所述外延层设于所述衬底上，并通过刻蚀至所述衬底的第一刻蚀道分为第一区域与第二区域；所述第一发光结构设于所述第一区域；所述第二发光结构设于所述第二区域；所述第一发光结构和第二发光结构相互串联；且所述第一发光结构和第二发光结构电流传输方向相反。本实用新型通过将多个第二发光结构相互串联，可将反向击穿电压提高至3n V(其中，n为第二发光结构的个数)，大幅提升了有反向电流存在时，LED芯片的安全性、可靠性，使得本实用新型中的LED芯片可应用于多种不同的使用场合。

技术领域

本实用新型涉及发光二极管技术领域，尤其涉及一种反向稳压LED芯片。

背景技术

LED又称发光二极管，是半导体二极管的一种，其具有单向导电性。当在LED芯片外加反向电压不超过一定范围时，通过二极管的电流是少数载流子漂移运动所形成反向电流，这种反向电流很小，二极管处于截止状态。这个反向电流又称为反向饱和电流或漏电流。但当外加反向电压超过某一数值时，反向电流会突然增大，这种现象称为电击穿。引起电击穿的临界电压称为二极管反向击穿电压。电击穿时二极管失去单向导电性，如果二极管没有因电击穿而引起过热，则单向导电性不一定会被永久破坏，在撤除外加电压后，其性能仍可恢复，否则二极管就会彻底失去单向导电性，被永久损坏了。因而使用时应避免二极管外加的反向电压过高。

由于在现有使用场合中，很少会出现反向电压的情景，因此现有的LED芯片往往不进行反向保护电路的设计。一种经常出现反向电流的场合是在测试芯片是否漏电时，由于LED芯片漏电通过正向施加电压是无法区分的，故采用反向施加电压的方法来测试；但在这种测试场合中，由于LED的正向电压通常小于4V，所以反向测试电压只要略大于正向电压就可以了，所以业界规定用5V电压，但这个5V电压绝不是指反向击穿电压。因此，仅仅满足在5V反向电压下不漏电是远远不足以证明其安全性的，使得现有的LED芯片多无法应用在反向电流较大的使用场合，安全性较低。

实用新型内容

本实用新型所要解决的技术问题在于，提供一种反向稳压LED芯片，其反向击穿电压高，可有效避免反向电流损坏LED芯片，提升LED芯片可靠性。

为了解决上述技术问题，本实用新型提供了一种反向稳压LED芯片，其包括：衬底、外延层、第一刻蚀道、第一发光结构和至少一个第二发光结构；所述外延层设于所述衬底上，并通过刻蚀至所述衬底的第一刻蚀道分为第一区域与第二区域；

所述第一发光结构设于所述第一区域；所述第二发光结构设于所述第二区域；所述第一发光结构和第二发光结构串联；且所述第一发光结构和第二发光结构电流传输方向相反。

作为上述技术方案的改进，还包括第一二次电极和第二二次电极；

所述第一发光结构包括第一电极和第二电极，所述第二发光结构包括第三电极和第四电极；

所述第一电极和所述第四电极通过横跨所述第一刻蚀道的所述第二二次电极实现电连接；

所述第二电极和所述第三电极通过横跨所述第一刻蚀道的所述第一二次电极实现电连接。

作为上述技术方案的改进，所述第二区域还设有第二刻蚀道和第三二次电极；所述第二刻蚀道刻蚀至所述衬底；

相邻的第二发光结构通过所述第二刻蚀道隔开，并通过所述第三二次电极实现电连接。

作为上述技术方案的改进，所述第一区域的面积：第二区域的面积为(2～5)：(0.5～1.5)。

作为上述技术方案的改进，所述第二区域设有2～8个第二发光结构和1～7条第二刻蚀道。

作为上述技术方案的改进，所述第一刻蚀道和第二刻蚀道侧壁具有倾斜角度。

作为上述技术方案的改进，所述倾斜角度≤60度。