[实用新型]晶圆弯曲度调整装置有效
| 申请号： | 201921613723.3 | 申请日： | 2019-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN210349789U | 公开（公告）日： | 2020-04-17 |
| 发明（设计）人： | 陈松超;徐文浩;宋月;张高升 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 高洁;张颖玲 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市洪山区东*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 弯曲 调整 装置 | ||
1.一种晶圆弯曲度调整装置，其特征在于，所述装置包括：
固定本体，设置在薄膜沉积设备上；利用所述薄膜沉积设备在所述晶圆背面沉积薄膜时，所述晶圆设置在所述固定本体上；
加热部件，设置在所述固定本体上；在所述晶圆背面沉积薄膜时，通过加热所述加热部件调整沉积在所述晶圆背面上第一方向上的薄膜厚度，以调整所述晶圆在所述第一方向上的弯曲度。
2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述加热部件至少包含两个加热子部件；所述至少两个加热子部件按预设规则设置在所述固定本体中的第一方向上。
3.根据权利要求2所述的装置，其特征在于，所述至少两个加热子部件对称地设置在第一方向上。
4.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述固定本体具有中空结构；所述晶圆设置在所述固定本体的上表面上；所述晶圆的背面与所述固定本体的上表面接触。
5.根据权利要求4所述的装置，其特征在于，所述加热部件设置在所述中空结构中。
6.根据权利要求5所述的装置，其特征在于，所述中空结构的内壁上设置有容置空间，所述加热部件设置在所述容置空间中。
7.根据权利要求4所述的装置，其特征在于，所述加热部件设置在所述中空结构的上表面上。
8.根据权利要求7所述的装置，其特征在于，所述中空结构的上表面上具有槽结构；所述加热部件通过所述槽结构设置在所述中空结构的上表面上。
9.根据权利要求4所述的装置，其特征在于，所述加热部件设置在所述中空结构的下表面上。
10.根据权利要求5、7或9所述的装置，其特征在于，所述加热部件通过粘接的方式设置在所述固定本体上。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
