[实用新型]晶圆弯曲度调整装置

说明书

本实用新型实施例提供了一种晶圆弯曲度调整装置，包括：固定本体，设置在薄膜沉积设备上；利用所述薄膜沉积设备在所述晶圆背面沉积薄膜时，所述晶圆设置在所述固定本体上；加热部件，设置在所述固定本体上；在所述晶圆背面沉积薄膜时，通过加热所述加热部件调整沉积在所述晶圆背面上第一方向上的薄膜厚度，以调整所述晶圆在所述第一方向上的弯曲度。如此，能够实现晶圆在某个特定方向上的弯曲度的调整。

技术领域

本实用新型涉及半导体技术领域，尤其涉及一种晶圆弯曲度调整装置。

背景技术

在半导体的制造过程中，晶圆的弯曲度(英文表达为bow)过大会导致在化学气相沉积工艺过程中，等离子体的容抗阻抗发生异常，从而产生电弧放电(英文表达为arcing)。电弧放电不仅影响了产品本身的良率，还存在损坏执行相关工艺机台硬件设施的风险。因此控制晶圆弯曲度在合理范围内具有巨大的经济效益和研究价值。

通过在晶圆背面(行业中表达为：晶背)沉积不同应力特性的薄膜是一种有效改变晶圆弯曲度的方法。如图1a所示，在晶圆背面沉积高拉应力的氮化硅(SiN)薄膜可以降低晶圆正向的弯曲度；如图1b所示，在晶背沉积高压应力的氧化硅(SiO₂)薄膜可以降低晶圆负向的弯曲度。然而，相关技术中，对晶圆弯曲度的调整仅能以晶圆表面所在平面为单位进行晶圆弯曲度的调整。并不能选择调整的方向，即对晶圆弯曲度的调整精确到晶圆表面所在平面上的某个特定方向上进行晶圆弯曲度的调整。

实用新型内容

为解决相关技术问题，本实用新型实施例提出一种晶圆弯曲度调整装置，能够实现晶圆在某个特定方向上的弯曲度的调整。

本实用新型实施例提供了一种晶圆弯曲度调整装置，包括：

固定本体，设置在薄膜沉积设备上；利用所述薄膜沉积设备在所述晶圆背面沉积薄膜时，所述晶圆设置在所述固定本体上；

加热部件，设置在所述固定本体上；在所述晶圆背面沉积薄膜时，通过加热所述加热部件调整沉积在所述晶圆背面上第一方向上的薄膜厚度，以调整所述晶圆在所述第一方向上的弯曲度。

上述方案中，所述加热部件至少包含两个加热子部件；所述至少两个加热子部件按预设规则设置在所述固定本体中的第一方向上。

上述方案中，所述至少两个加热子部件对称地设置在第一方向上。

上述方案中，所述固定本体具有中空结构；所述晶圆设置在所述固定本体的上表面上；所述晶圆的背面与所述固定本体的上表面接触。

上述方案中，所述加热部件设置在所述中空结构中。

上述方案中，所述中空结构的内壁上设置有容置空间，所述加热部件设置在所述容置空间中。

上述方案中，所述加热部件设置在所述中空结构的上表面上。

上述方案中，所述中空结构的上表面上具有槽结构；所述加热部件通过所述槽结构设置在所述中空结构的上表面上。

上述方案中，所述加热部件设置在所述中空结构的下表面上。

上述方案中，所述加热部件通过粘接的方式设置在所述固定本体上。

本实用新型实施例提供了一种晶圆弯曲度调整装置，包括：固定本体，设置在薄膜沉积设备上；所述薄膜沉积设备在所述晶圆背面沉积薄膜时，所述晶圆设置在所述固定本体上；加热部件，设置在所述固定本体上；在所述晶圆背面沉积薄膜时，通过加热所述加热部件调整沉积在所述晶圆背面上第一方向上的薄膜厚度，以调整所述晶圆在所述第一方向上的弯曲度。本实用新型实施例在所述晶圆背面沉积薄膜时，通过加热所述加热部件，可以调整晶圆沿特定方向的温度分布，通过晶圆沿特定方向温度的不同使薄膜在晶圆沿特定方向上的沉积速率不同，从而使沉积在所述晶圆背面上特定方向上的薄膜厚度不同，如此，能够实现晶圆在特定方向上的弯曲度的调整。