[实用新型]一种抗高压静电释放装置有效
申请号: | 201921619805.9 | 申请日: | 2019-09-26 |
公开(公告)号: | CN211378344U | 公开(公告)日: | 2020-08-28 |
发明(设计)人: | 李保立 | 申请(专利权)人: | 江苏东成工具科技有限公司 |
主分类号: | H05K1/02 | 分类号: | H05K1/02;H05K9/00;H01M10/42;H01M2/20;H01R12/51 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 226244 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 高压 静电 释放 装置 | ||
1.一种抗高压静电释放装置,包括:外壳、安装于所述外壳内的电路板及输出端子,所述电路板包括焊点、电子元器件以及电性连接于所述焊点与焊点之间的导体,所述输出端子电性连接于电路板的焊点上;其特征在于:所述导体设有ESD防护结构,该ESD防护结构为往复弯曲延伸的导线,该导线的长度大于焊点之间的直线距离,且该导线长为10mm以上,所述ESD防护结构能承受不小于11KV的静电电压。
2.根据权利要求1所述的抗高压静电释放装置,其特征在于:所述焊点包括第一焊点和第二焊点,所述第一焊点连接所述输出端子,所述第二焊点连接所述电子元器件。
3.根据权利要求1或2所述的抗高压静电释放装置,其特征在于:所述ESD防护结构一端连接所述输出端子,另一端连接所述电子元器件。
4.根据权利要求3所述的抗高压静电释放装置,其特征在于:所述电子元器件为晶体管,且该晶体管电性连接于该第二焊点上。
5.根据权利要求3所述的抗高压静电释放装置,其特征在于:所述电子元器件为电阻,且该电阻电性连接于该第二焊点上,所述电阻为固定电阻、ID电阻或NTC电阻。
6.根据权利要求3所述的抗高压静电释放装置,其特征在于:所述电子元器件为MCU,且该MCU电性连接于该第二焊点上。
7.根据权利要求3所述的抗高压静电释放装置,其特征在于:所述外壳具有开口,所述输出端子直接焊接于所述电路板上,且所述输出端子的至少部分相对外壳裸露于空气中。
8.根据权利要求3所述的抗高压静电释放装置,其特征在于:所述ESD防护结构是于电路板上形成的铜箔导线。
9.根据权利要求8所述的抗高压静电释放装置,其特征在于:所述铜箔导线长为32.2mm以上,且所述ESD防护结构能承受16KV以上的静电电压。
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