[实用新型]环磁铁以及磁传感器有效

专利信息
申请号: 201921638417.5 申请日: 2019-09-27
公开(公告)号: CN210350958U 公开(公告)日: 2020-04-17
发明(设计)人: 中村俊晃;翟冠华 申请(专利权)人: 日本电产东测有限公司
主分类号: H02K11/00 分类号: H02K11/00;H02K11/215;H02K7/116;H02K7/10;H02K7/08
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人: 于靖帅;黄纶伟
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 磁铁 以及 传感器
【权利要求书】:

1.一种环磁铁,其与检测磁通密度的变化的检测元件一起使用,其特征在于,

该环磁铁在与轴线方向垂直的平面上具有沿周向配置的N极和S极,

该环磁铁的沿轴线方向的厚度分别从所述N极的顶部和所述S极的顶部朝向所述N极与所述S极的边界部增大。

2.根据权利要求1所述的环磁铁,其特征在于,

该环磁铁是一个所述N极和一个所述S极沿周向配置而成的两极环磁铁。

3.根据权利要求1所述的环磁铁,其特征在于,

所述厚度连续地增大。

4.根据权利要求1所述的环磁铁,其特征在于,

该环磁铁在各个所述顶部及其附近具有所述厚度恒定的部分。

5.根据权利要求1至4中的任意一项所述的环磁铁,其特征在于,

轴线方向一侧且与所述检测元件相反的一侧的面沿着与轴线方向垂直的平面。

6.一种磁传感器,其特征在于,

该磁传感器具有:

权利要求1至5中的任意一项所述的环磁铁,其固定于旋转轴;以及

检测元件,其在从所述旋转轴向径向外侧偏离的位置与所述环磁铁对置地配置,检测由所述环磁铁的旋转引起的磁通密度的变化。

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