[实用新型]一种具有氮化镁壳层的氧化镍/锌镍氧/氧化锌器件有效
申请号: | 201921650552.1 | 申请日: | 2019-09-30 |
公开(公告)号: | CN210272381U | 公开(公告)日: | 2020-04-07 |
发明(设计)人: | 凤天宏 | 申请(专利权)人: | 东北财经大学 |
主分类号: | H01L31/0216 | 分类号: | H01L31/0216;H01L31/0352 |
代理公司: | 大连理工大学专利中心 21200 | 代理人: | 温福雪 |
地址: | 116024 辽宁*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 具有 氮化 镁壳层 氧化 锌镍氧 氧化锌 器件 | ||
本实用新型属于半导体器件技术领域,提供一种具有氮化镁壳层的氧化镍/锌镍氧/氧化锌器件,包括氧化锌薄层、氧化镍薄层、锌镍氧超薄层和氮化镁层。该器件充分发挥氧化锌材料在辐射探测方面的耐高温耐辐照的特性,通过引入具有空穴导电特性的氧化镍层,克服氧化锌难以获得稳定空穴导电特性的严重劣势,进而形成基于PN结构的结型辐射探测器件。该器件中增加了锌镍氧超薄层,利用该层所产生的极化诱导作用,减少器件界面对载流子的俘获,提高器件电学性能;同时将氧化锌单晶设计成梯形截面的圆台,在器件周围增加氮化镁壳层,利用其高阻特性及在ZnO单晶侧面形成的反型层,有效解决器件漏电问题,进而降低器件的漏电流噪声,显著提升器件性能。
技术领域
本实用新型属于半导体器件技术领域,具体提供了一种具有氮化镁壳层的氧化镍/锌镍氧/氧化锌器件。
背景技术
宽禁带半导体氧化锌材料因其禁带宽度大、击穿场强高和抗辐照性能好等突出优点,在辐射探测方面具有潜在应用。目前,制约氧化锌基器件应用的重要因素之一是缺少具有空穴导电特性的氧化锌材料。氧化镍是一种具有空穴导电特性的半导体氧化物,开发基于氧化镍薄膜和氧化锌单晶的新型器件有望满足其在辐射探测领域的应用需求。同时,在器件中增加锌镍氧超薄层,可以利用该层所产生的极化诱导作用,减少器件界面对载流子的俘获,提高器件电学性能;此外,在器件周围增加氮化镁壳层,可以利用其高阻特性及其在ZnO单晶侧面形成的反型层,有效解决器件漏电问题,进而降低器件的漏电流噪声,显著提升器件性能。
实用新型内容
本实用新型的目的在于解决目前氧化锌基辐射探测器结构单一且漏电较大的问题,提出一种具有氮化镁保护壳层的基于氧化镍薄膜/锌镍氧超薄层/氧化锌单晶器件结构。
本实用新型的技术方案:
一种具有氮化镁壳层的氧化镍/锌镍氧/氧化锌器件,包括氧化锌薄层、氧化镍薄层、锌镍氧超薄层和氮化镁层;
所述的氧化锌薄层为梯形截面的圆台,厚度为300μm;氧化锌薄层的上表面为氧化锌单晶锌极化面,直径为10mm;氧化锌薄层的下表面为氧化锌单晶氧极化面,直径为12mm;
所述的锌镍氧超薄层位于氧化锌单晶锌极化面上,其直径为10mm、厚度为3nm~10nm的圆台;锌镍氧超薄层的圆心与氧化锌单晶锌极化面的圆心重合;
所述的氧化镍薄层位于锌镍氧超薄层上,其直径为10mm、厚度为0.1μm~2μm的圆台;氧化镍薄层的圆心与氧化锌单晶锌极化面的圆心重合;
所述的氧化镍薄层上表面、氧化锌单晶氧极化面以及器件侧面为氮化镁层,其厚度为10nm~100nm;
所述的氧化镍薄层侧的氮化镁层上开有一个直径为8mm~10mm的孔,露出氧化镍,孔的圆心与氧化锌单晶锌极化面的圆心重合;氧化镍薄层的开孔上连接有圆形Ni/Au欧姆接触电极,直径为8mm~10mm,圆心与开孔圆心重合,Ni电极厚度为10nm~200nm,Au电极厚度为0.01μm~1μm;
所述的氧化锌单晶氧极化面侧的氮化镁层上开有一个直径为8mm~12mm的孔,露出氧化锌,孔的圆心与氧化锌单晶氧极化面的圆心重合;氧化锌单晶氧极化面侧的开孔上连接有圆形Al/Au欧姆接触电极,直径为8mm~12mm,圆心与开孔圆心重合,Al电极厚度为10nm~200nm,Au电极厚度为0.01μm~1μm。
本实用新型的有益效果是:该多层异质结构的辐射探测器,能够充分发挥氧化锌材料在辐射探测方面的耐高温耐辐照的特性,通过引入具有空穴导电特性的氧化镍层,克服氧化锌难以获得稳定空穴导电特性的严重劣势,进而形成基于PN结构的结型辐射探测器件。特别是在器件结构中,增加了锌镍氧超薄层,利用该层所产生的极化诱导作用,减少器件界面对载流子的俘获,提高了器件电学性能;同时将氧化锌单晶设计成梯形截面的圆台,在器件周围增加氮化镁壳层,利用其高阻特性及其在ZnO单晶侧面形成的反型层,有效解决器件漏电问题,进而降低器件的漏电流噪声,显著提升器件性能。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的