[实用新型]双极晶体管有效
| 申请号： | 201921652468.3 | 申请日： | 2019-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN210723039U | 公开（公告）日： | 2020-06-09 |
| 发明（设计）人： | A·高蒂尔;P·舍瓦利耶 | 申请（专利权）人： | 意法半导体有限公司;意法半导体（克洛尔2）公司 |
| 主分类号： | H01L29/08 | 分类号： | H01L29/08;H01L21/331 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 董莘 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 双极晶体管 | ||
【权利要求书】：
1.一种双极晶体管，其特征在于，包括集电极，所述双极晶体管包括：
所述集电极的第一部分，在绝缘沟槽下方延伸；以及
所述集电极的第二部分，穿过所述绝缘沟槽，其中所述集电极的所述第一部分和所述第二部分物理接触。
2.根据权利要求1所述的双极晶体管，其特征在于，所述集电极的所述第二部分通过气穴来与导电元件分离。
3.根据权利要求1所述的双极晶体管，其特征在于，所述集电极的所述第二部分包括基本均匀N掺杂区域和渐变N掺杂层，所述渐变N掺杂层与所述基本均匀N掺杂区域至少部分地接触。
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