[实用新型]双极晶体管

说明书

本公开的实施例涉及双极晶体管。一种双极晶体管包括集电极。集电极由以下部分形成：集电极的第一部分，在绝缘沟槽下方延伸；以及集电极的第二部分，穿过绝缘沟槽。集电极的第一和第二部分物理接触。

技术领域

本公开总体上涉及电子部件，更具体地，涉及双极晶体管。

背景技术

双极晶体管是晶体管家族中基于半导体的电子器件。其工作原理是基于两个PN结：一个正向，一个反向。

发明内容

为了解决上述问题，本公开提出了一种双极晶体管。

在第一方面，提供了一种双极晶体管，该双极晶体管包括集电极，该双极晶体管包括：集电极的第一部分，在绝缘沟槽下方延伸；以及集电极的第二部分，穿过绝缘沟槽，其中集电极的第一部分和第二部分物理接触。

根据一个实施例，集电极的第二部分通过气穴来与导电元件分离。

根据一个实施例，集电极的第二部分包括基本均匀N掺杂区域和渐变N掺杂层，渐变N掺杂层与基本均匀N掺杂区域至少部分地接触。

所公开的实施例克服了已知双极晶体管和/或已知双极晶体管制造方法的全部或部分缺点。

附图说明

将在以下结合附图对具体实施例的非限制性描述中详细讨论上述和其他特征和优点，其中：

图1示意性示出了双极晶体管的一个实施例；

图2示出了由图1的双极晶体管的制造方法的一个实施例的步骤产生的两个结构；

图3示出了由图1的双极晶体管的制造方法的一个实施例的其他步骤产生的两个结构；

图4示出了由图1的双极晶体管当制造方法的一个实施例的其他步骤产生的两个结构；

图5示出了由图1的双极晶体管的制造方法的一个实施例的其他步骤产生的两个结构；

图6示出了由图1的双极晶体管的制造方法的一个实施例的另一步骤产生的结构；

图7示意性示出了双极晶体管的另一实施例；

图8示出了由图7的双极晶体管的制造方法的一个实施例的步骤产生的两个结构；

图9示出了由图7的双极晶体管的制造方法的一个实施例的其他步骤产生的两个结构；

图10示意性示出了双极晶体管的另一实施例；

图11示出了由图10的双极晶体管的制造方法的一个实施例的步骤产生的两个结构；

图12示出了由图10的双极晶体管的制造方法的一个实施例的其他步骤产生的两个结构。

具体实施方式

一个实施例提供了一种制造双极晶体管的方法，其中形成集电极包括：在腔体的底部形成第一基本均匀掺杂层；以及通过第一层的掺杂剂的扩散形成第二渐变掺杂层。

根据一个实施例，该方法还包括：通过用绝缘材料填充腔体来形成绝缘沟槽。

根据一个实施例，该方法还包括：形成集电极的穿过绝缘沟槽的一部分。

根据一个实施例，第一层至少部分地被去除。

根据一个实施例，第一层被完全去除。

根据一个实施例，在用绝缘材料填充腔体之后，第一层被去除。

根据一个实施例，在第一层的被去除部分的位置处形成气穴。

根据一个实施例，该方法包括：将掺杂剂注入与第二层接触的区域。