[实用新型]晶圆级芯片封装结构

权利要求书

1.一种晶圆级芯片封装结构，其特征在于，所述封装结构包括：

待封装芯片，所述待封装芯片具有相对的第一表面及第二表面；

贴片膜，位于所述待封装芯片的所述第一表面，所述第一表面与所述贴片膜相接触；

导电柱，形成于所述待封装芯片的第二表面，并与所述待封装芯片电连接；

封装层，形成于所述待封装芯片的第二表面并延伸至所述待封装芯片的侧部，且所述导电柱的顶面显露于所述封装层，所述封装层及所述贴片膜将所述待封装芯片包覆；

重新布线层，形成于所述封装层上，所述重新布线层与所述导电柱电连接；以及

金属凸块，形成于所述重新布线层远离所述封装层的一侧，所述金属凸块通过所述重新布线层及所述导电柱实现所述待封装芯片的电性引出。

2.根据权利要求1所述的晶圆级芯片封装结构，其特征在于，所述贴片膜远离所述待封装芯片一层的表面上还形成有粘附保护层，且所述粘附保护层及所述封装层将所述贴片膜及所述待封装芯片包覆。

3.根据权利要求2所述的晶圆级芯片封装结构，其特征在于，所述粘附保护层包括聚酰亚胺层。

4.根据权利要求1所述的晶圆级芯片封装结构，其特征在于，所述金属凸块包括锡焊料、银焊料及金锡合金焊料中的一种。

5.根据权利要求1所述的晶圆级芯片封装结构，其特征在于，所述封装结构还包括图形化表面层，所述图形化表面层形成于所述重新布线层远离所述封装层的一层，且所述图形化表面层显露所述重新布线层上形成所述金属凸块的焊垫区域，所述金属凸块经由所述图形化表面层形成于所述焊垫区域上。

6.根据权利要求1-5中任意一项所述的晶圆级芯片封装结构，其特征在于，所述贴片膜的大小和所述待封装芯片一致，所述封装层形成于所述待封装芯片上并延伸至所述贴片膜的侧部。