[实用新型]晶圆级芯片封装结构

说明书

本实用新型提供一种晶圆级芯片封装结构，包括：待封装芯片；贴片膜，位于待封装芯片的所述第一表面，所述第一表面与所述贴片膜相接触；导电柱，形成于待封装芯片的第二表面；封装层，封装层及贴片膜将待封装芯片包覆；重新布线层与所述导电柱电连接；金属凸块，通过重新布线层及导电柱实现待封装芯片的电性引出。本实用新型采用先进行贴片，再进行重新布线层制备的方式，在扇出型晶圆级封装中，有利于缩短制程，减小作业周期，提升产品产率，有利于产品成本的降低，实现了对晶圆级芯片进行有效的六面封装，更好的包装芯片，提高产品的可靠性，采用锡膏印刷或者植球的方式形成金属凸块，减少制程的复杂性。

技术领域

本实用新型属于半导体封装技术领域，特别是涉及一种晶圆级芯片封装结构。

背景技术

随着集成电路的功能越来越强、性能和集成度越来越高，以及新型的集成电路出现，封装技术在集成电路产品中扮演着越来越重要的角色，在整个电子系统的价值中所占的比例越来越大。同时，随着集成电路特征尺寸达到纳米级，晶体管向更高密度、更高的时钟频率发展，封装也向更高密度的方向发展。

由于扇出晶圆级封装(fowlp)技术由于具有小型化、低成本和高集成度等优点，以及具有更好的性能和更高的能源效率，扇出晶圆级封装(fowlp)技术已成为高要求的移动/无线网络等电子设备的重要的封装方法，是目前最具发展前景的封装技术之一。

然而，现有的扇出型封装中，对于晶圆级的封装结构来说难以实现简单有效的全面封装并且封装制程较长，制备周期长，影响作业效率。

实用新型内容

鉴于以上所述现有技术的缺点，本实用新型的目的在于提供一种晶圆级芯片封装结构，用于解决现有技术中难以实现简单有效的全面封装以及制程周期较长的问题。

为实现上述目的及其他相关目的，本实用新型提供一种晶圆级芯片封装方法，所述封装方法包括如下步骤：

提供支撑基底，并于所述支撑基底上形成临时键合层；

提供待封装芯片及贴片膜，于所述临时键合层上形成贴片膜，所述待封装芯片具有相对的第一表面及第二表面，将所述待封装芯片固定于所述贴片膜上，并使所述待封装芯片的第一表面与所述贴片膜相接触；

于所述待封装芯片的第二表面制备导电柱，所述导电柱与所述待封装芯片电连接；

采用封装层封装所述待封装芯片，所述导电柱的顶面显露于所述封装层，所述封装层及所述贴片膜将所述待封装芯片包覆；

于所述封装层上制备重新布线层，所述重新布线层与所述导电柱电连接；

于所述重新布线层远离所述封装层的一侧制备金属凸块，以通过所述重新布线层及所述导电柱实现所述待封装芯片的电性引出；以及

基于所述临时键合层剥离所述贴片膜及所述支撑基底。

可选地，形成所述临时键合层之后还包括步骤：于所述临时键合层上形成粘附保护层，且所述贴片膜形成于所述粘附保护层表面。

可选地，所述粘附保护层包括聚酰亚胺层。

可选地，制备所述重新布线层的步骤包括：于所述封装层的上表面形成介质层及金属叠层结构，所述金属叠层结构与所述导电柱电连接，以将所述待封装芯片电性引出，其中，所述金属叠层结构位于所述介质层内，所述金属叠层结构包括若干层间隔排布的金属线层及金属插塞，所述金属插塞位于相邻所述金属线层之间，以将相邻的所述金属线层电连接。

可选地，所述金属凸块包括锡焊料、银焊料及金锡合金焊料中的一种。

可选地，所述临时键合层包括光热转换层，其中，采用激光照射所述光热转换层，以使所述光热转换层与所述贴片膜及所述支撑基底分离，进而剥离所述贴片膜及所述支撑基底。