[实用新型]一种超大尺寸单晶硅片的清洗系统

权利要求书

1.一种超大尺寸单晶硅片的清洗系统，包括预清洗部和慢提拉部，其特征在于：还包括第一药液清洗部、第一溢流清洗部、第二药液清洗部、第三药液清洗部和第二溢流清洗部，所述预清洗部、所述第一药液清洗部、所述第一溢流清洗部、所述第二药液清洗部、所述第三药液清洗部、所述第二溢流清洗部与所述慢提拉部依次设置，并通过移动抓取装置连通，对硅片依次进行清洗；以及，

所述慢提拉部以一定倾斜角度倾斜设置，以使得硅片表面水分拉干；

其中，所述第一药液清洗部中的药液为清洗剂溶液；

所述第二药液清洗部中的药液为高浓度清洗药液溶液；

所述第三药液清洗部中的药液为低浓度清洗药液溶液；

所述倾斜角度为5°-15°；

所述慢提拉部设有喷淋部，对硅片进行喷淋，所述喷淋部设有热纯水；

所述热纯水的温度为50℃-70℃。

2.根据权利要求1所述的超大尺寸单晶硅片的清洗系统，其特征在于：所述第一药液清洗部包括第一超声药液清洗部和第二超声药液清洗部，所述第一超声药液清洗部与所述第二超声药液清洗部依次设置，对硅片进行超声药液清洗；其中，

所述第一超声药液清洗部与所述第二超声药液清洗部均设有所述清洗剂溶液。

3.根据权利要求1或2所述的超大尺寸单晶硅片的清洗系统，其特征在于：所述第二药液清洗部与所述第三药液清洗部均设有鼓泡清洗部。

4.根据权利要求3所述的超大尺寸单晶硅片的清洗系统，其特征在于：所述第二溢流清洗部包括第一超声溢流部、第二超声溢流部和第三超声溢流部，所述第一超声溢流部、所述第二超声溢流部与所述第三超声溢流部依次设置，对硅片依次进行清洗；

其中，所述第一超声溢流部、所述第二超声溢流部与所述第三超声溢流部均设有纯水。