[实用新型]一种清洗装置有效
申请号: | 201921702479.8 | 申请日: | 2019-10-11 |
公开(公告)号: | CN210668288U | 公开(公告)日: | 2020-06-02 |
发明(设计)人: | 不公告发明人 | 申请(专利权)人: | 长鑫存储技术有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/02 |
代理公司: | 上海晨皓知识产权代理事务所(普通合伙) 31260 | 代理人: | 成丽杰 |
地址: | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 清洗 装置 | ||
本实用新型实施例涉及半导体清洗设备技术领域,公开了一种清洗装置,清洗装置包括:清洗腔室;固定装置,用于承载并固定待清洗物;第一喷嘴,第一喷嘴内部设有多条液体管路以及多条气体管路,液体管路至少包括用于向待清洗物喷射第一清洗液的第一液体管路、用于向待清洗物喷射第二清洗液的第二液体管路;气体管路至少包括第一气体管路以及第二气体管路,第一气体管路及第二气体管路均用于向待清洗物喷射惰性气体,第一气体管路的喷射方向、第一液体管路以及第二液体管路的喷射方向相同,第二气体管路的喷射方向与第一气体管路的喷射方向成预设夹角。本实用新型提供的清洗装置能够有效避免水痕缺陷,提高清洗质量。
技术领域
本实用新型实施例涉及半导体清洗设备技术领域,特别涉及一种清洗装置。
背景技术
随着半导体集成电路制造技术的高速发展,集成电路芯片的图形特征尺寸已进入到深亚微米阶段,导致芯片上超细微电路失效或损坏的关键沾污物(例如颗粒)的特征尺寸也随之大为减小。在集成电路的制造工艺过程中,半导体晶圆通常都会经过诸如薄膜沉积、刻蚀、抛光等多道工艺步骤。而这些工艺步骤就成为沾污物产生的重要场所。为了保持晶圆表面的清洁状态,消除在各个工艺步骤中沉积在晶圆表面的沾污物,必须对经受了每道工艺步骤后的晶圆表面进行清洗处理。因此,清洗工艺成为集成电路制作过程中最普遍的工艺步骤,其目的在于有效地控制各步骤的沾污水平,以实现各工艺步骤的目标。
现有技术中清洗晶圆的清洗装置的质量有待提高。
实用新型内容
本实用新型实施方式的目的在于提供一种清洗装置,其能够有效避免水痕缺陷,提高清洗质量。
为解决上述技术问题,本实用新型的实施方式提供了一种清洗装置,包括:清洗腔室;固定装置,所述固定装置设置于所述清洗腔室内,用于承载并固定待清洗物;第一喷嘴,所述第一喷嘴设置于所述清洗腔室内,所述第一喷嘴内部设有多条液体管路以及多条气体管路,所述液体管路至少包括用于向待清洗物喷射第一清洗液的第一液体管路、用于向待清洗物喷射第二清洗液的第二液体管路;所述气体管路至少包括第一气体管路以及第二气体管路,所述第一气体管路及所述第二气体管路均用于向待清洗物喷射惰性气体,所述第一气体管路的喷射方向、所述第一液体管路以及所述第二液体管路的喷射方向相同,所述第二气体管路的喷射方向与所述第一气体管路的喷射方向成预设夹角,所述预设夹角大于0度且小于或等于90度。
另外,所述液体管路还包括用于向待清洗物喷射干燥液的第三液体管路,所述第三液体管路的喷射方向与所述第一液体管路的喷射方向相同。通过向待清洗物表面喷射干燥液,达到快速干燥待清洗物的效果。
另外,所述清洗装置还包括具有多个通孔的助喷射结构,所述助喷射结构设置于所述第一喷嘴的下方,所述第一气体管路喷出的惰性气体经由所述多个通孔喷向待清洗物。
另外,所述多个通孔包括第一孔和第二孔,所述第一气体管路喷出的惰性气体经由所述第一孔喷向待清洗物;所述第一液体管路、所述第二液体管路以及所述第三液体管路穿过所述第二孔。
另外,所述第二气体管路包括围绕所述第一喷嘴的环形开口,所述惰性气体经由所述环形开口喷出。
另外,所述第二气体管路包括围绕所述第一喷嘴的具有至少四个开口的喷射孔,所述惰性气体经由所述开口喷出。
另外,所述清洗腔室包括进风装置及排风装置,所述进风装置用于向所述清洗腔室内喷气,所述排风装置用于将所述清洗腔室内的气流排出。通过设置进风装置及排风装置,能够在待清洗物进入清洗腔室之前对清洗腔室进行清洁,从而维持清洗腔室的洁净。
另外,所述进风装置包括进风管道以及与所述进风管道连通的喷气结构,所述喷气结构用于将所述进风管道中的气体喷向所述清洗腔室。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造