[实用新型]一种倒装LED芯片有效
| 申请号： | 201921713938.2 | 申请日： | 2019-10-12 |
| 公开（公告）号： | CN210575999U | 公开（公告）日： | 2020-05-19 |
| 发明（设计）人： | 仇美懿;庄家铭;李进 | 申请（专利权）人： | 佛山市国星半导体技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L33/44;H01L33/48;H01L33/62 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 胡枫;李素兰 |
| 地址： | 528200 广东省佛山市南海区狮*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 倒装 led 芯片 | ||
1.一种倒装LED芯片，其特征在于，包括：
倒装LED芯片本体，包括第一电极和第二电极；
设于所述倒装LED芯片本体上的钝化保护层；和
设于所述钝化保护层上的第一焊盘和第二焊盘，第一焊盘与所述第一电极连接，第二焊盘与所述第二电极连接；
其中，在所述钝化保护层上设有排气槽，所述排气槽围绕第一电极和/或第二电极设置。
2.如权利要求1所述的倒装LED芯片，其特征在于，所述排气槽与所述第一电极/第二电极之间的距离为5～10μm。
3.如权利要求1或2所述的倒装LED芯片，其特征在于，所述排气槽的深度为0.8～1.6μm。
4.如权利要求1所述的倒装LED芯片，其特征在于，所述排气槽横截面呈方形、锥形、椭圆形或半圆形。
5.如权利要求1所述的倒装LED芯片，其特征在于，所述倒装LED芯片本体包括：
衬底；
设于所述衬底上的外延层，所述外延层依次包括第一半导体层、发光层和第二半导体层；
设于所述第二半导体层上的透明导电层；
设于所述透明导电层上的复合反射层；
第一电极和第二电极；
其中，所述第一电极通过设于所述外延层并贯穿至第一半导体层的多个第一孔洞与所述第一半导体层连接；所述第二电极通过贯穿复合反射层的多个第二孔洞与所述透明导电层连接。
6.如权利要求5所述的倒装LED芯片，其特征在于，所述倒装LED芯片本体还包括第一电流扩展条和第二电流扩展条；
其中，所述第一电流扩展条与所述第一电极连接，并通过设于外延层的第三孔洞与所述第一半导体层连接；
所述第二电流扩展条与所述第二电极连接，并通过设于所述复合反射层的第四孔洞与所述透明导电层连接。
7.如权利要求5所述的倒装LED芯片，其特征在于，所述倒装LED芯片本体还包括电流阻挡层，所述电流阻挡层设于所述透明导电层与所述第二半导体层之间。
8.如权利要求5所述的倒装LED芯片，其特征在于，所述第一孔洞和第二孔洞的宽度为3～10μm。
9.如权利要求5所述的倒装LED芯片，其特征在于，所述第一孔洞和第三孔洞靠近所述外延层的边缘设置，所述第二孔洞和第四孔洞靠近所述复合反射层的边缘设置。
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