[实用新型]一种倒装LED芯片

说明书

本实用新型公开了一种倒装LED芯片，其包括：倒装LED芯片本体，包括第一电极和第二电极；设于所述倒装LED芯片本体上的钝化保护层；和设于所述钝化保护层上的第一焊盘和第二焊盘，第一焊盘与所述第一电极连接，第二焊盘与所述第二电极连接；其中，在所述钝化保护层上设有排气槽，所述排气槽围绕第一电极和第二电极设置。本实用新型围绕倒装LED芯片电极设计了排气槽，其能够使得电极凹孔中封闭的气泡容易排出，改善了电极与焊盘的接触，从而增加LED可靠性。

技术领域

本实用新型涉及光电子制造技术领域，尤其涉及一种倒装LED芯片及其制备方法。

背景技术

倒装LED芯片是一种新型LED芯片，其散热性能和光效都比普通正装LED芯片优异。倒装LED芯片的封装于传统正装LED芯片相差较大，实现有效的实现封装是倒装LED芯片产业化的关键内容。现有的芯片设计中，要对外延层以及DBR层挖孔，会导致电极表面凹凸不平，在使用锡膏将电极与焊盘焊接后，进行回流焊测试时，通入电流，预热电极凹槽处产生气泡无法排出，容易出现封装失效。

另一方面，为了提升倒装LED芯片的光效，往往在LED芯片表面制作电流扩展条，电流扩展条也通过挖孔与半导体层形成连接；也会进一步加重上述凹凸不平的现象，导致封装不良。

实用新型内容

本实用新型所要解决的技术问题在于，提供一种倒装LED芯片，其焊接牢固，易于封装，可靠度高。

为了解决上述技术问题，本实用新型提供了一种倒装LED芯片，其包括：

倒装LED芯片本体，包括第一电极和第二电极；

设于所述倒装LED芯片本体上的钝化保护层；和

设于所述钝化保护层上的第一焊盘和第二焊盘，第一焊盘与所述第一电极连接，第二焊盘与所述第二电极连接；

其中，在所述钝化保护层上设有排气槽，所述排气槽围绕第一电极和/或第二电极设置。

作为上述技术方案的改进，所述排气槽与所述第一电极/第二电极之间的距离为5～10μm。

作为上述技术方案的改进，所述排气槽的深度为0.8～1.6μm。

作为上述技术方案的改进，所述排气槽横截面呈方形、锥形、椭圆形或半圆形。

作为上述技术方案的改进，所述倒装LED芯片本体包括：

衬底；

设于所述衬底上的外延层，所述外延层依次包括第一半导体层、发光层和第二半导体层；

设于所述第二半导体层上的透明导电层；

设于所述透明导电层上的复合反射层；

第一电极和第二电极；

其中，所述第一电极通过设于所述外延层并贯穿至第一半导体层的多个第一孔洞与所述第一半导体层连接；所述第二电极通过贯穿复合反射层的多个第二孔洞与所述透明导电层连接。

作为上述技术方案的改进，所述倒装LED芯片本体还包括第一电流扩展条和第二电流扩展条；

其中，所述第一电流扩展条与所述第一电极连接，并通过设于外延层的第三孔洞与所述第一半导体层连接；

所述第二电流扩展条与所述第二电极连接，并通过设于所述复合反射层的第四孔洞与所述透明导电层连接。

作为上述技术方案的改进，所述倒装LED芯片本体还包括电流阻挡层，所述电流阻挡层设于所述透明导电层与所述第二半导体层之间。

作为上述技术方案的改进，所述第一孔洞和第二孔洞的宽度为3～10μm。