[实用新型]一种主板上电模式的自动切换电路有效
| 申请号： | 201921717635.8 | 申请日： | 2019-10-14 |
| 公开（公告）号： | CN211236840U | 公开（公告）日： | 2020-08-11 |
| 发明（设计）人： | 王志钢;何建伟;陈小兵;黎小兵;辛大勇 | 申请（专利权）人： | 江苏嘉擎信息技术有限公司 |
| 主分类号： | G06F1/26 | 分类号： | G06F1/26 |
| 代理公司： | 苏州隆恒知识产权代理事务所(普通合伙) 32366 | 代理人： | 周子轶 |
| 地址： | 215316 江苏省苏州市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 主板 模式 自动 切换 电路 | ||
1.一种主板上电模式的自动切换电路，其特征在于，包括：
第一N沟道场效应管，所述第一N沟道场效应管的栅极与ATX信号端连接，所述第一N沟道场效应管的源极接地；
第二N沟道场效应管，所述第二N沟道场效应管的栅极连接有ATX电源S1并与所述第一N沟道场效应管的漏极连接，所述第二N沟道场效应管的源极接地；
N沟道单端场效应管，所述N沟道单端场效应管的栅极与所述第二N沟道场效应管的漏极连接，所述N沟道单端场效应管的源极端接口并联后连接有响应电源S2；
P沟道单端场效应管，所述P沟道单端场效应管的栅极与所述N沟道单端场效应管的栅极连接，且所述P沟道单端场效应管的栅极、所述N沟道单端场效应管的栅极以及所述第二N沟道场效应管的漏极的公共端点连接有响应电源S3，所述响应电源S3的输出电压值大于所述响应电源S2的输出电压值，所述P沟道单端场效应管的漏极端接口并联后与所述ATX电源S1连接，所述P沟道单端场效应管的源极端接口并联后与所述N沟道单端场效应管的漏极端接口并联后连接，且二者的公共端点连接有双路供电电源S4，所述双路供电电源S4的输出电压值小于所述响应电源S3的输出电压值。
2.根据权利要求1所述的主板上电模式的自动切换电路，其特征在于，所述第一N沟道场效应管的栅极串联有电阻R1，所述第二N沟道场效应管的栅极串联有电阻R2，所述N沟道单端场效应管的栅极、所述P沟道单端场效应管的栅极串联有电阻R3，所述ATX信号端的输入信号经所述电阻R1后进入所述第一N沟道场效应管的栅极，所述ATX电源S1的输出电压流经所述电阻R2后进入所述第二N沟道场效应管的栅极，所述响应电源S3的输出电压流经所述电阻R3后进入所述N沟道单端场效应管的栅极、所述P沟道单端场效应管的栅极。
3.根据权利要求1所述的主板上电模式的自动切换电路，其特征在于，所述第一N沟道场效应管为额定参数是0.3A/60V的场效应管2N7002，所述第二N沟道场效应管为额定参数是0.3A/60V的场效应管2N7002，所述N沟道单端场效应管为额定参数是12A/30V的单端场效应管AON6414，所述P沟道单端场效应管为额定参数为-12A/-30V的单端场效应管AO4407A。
4.根据权利要求3所述的主板上电模式的自动切换电路，其特征在于，所述ATX电源S1为+5V，所述响应电源S2为+5V，所述响应电源S3为+12V，所述双路供电电源S4为+5V。
5.根据权利要求1所述的主板上电模式的自动切换电路，其特征在于，所述第一N沟道场效应管的栅极串联有接地电容C1。
6.根据权利要求1所述的主板上电模式的自动切换电路，其特征在于，所述N沟道单端场效应管的源极端接口并联后串联有接地电容C2。
7.根据权利要求1所述的主板上电模式的自动切换电路，其特征在于，所述P沟道单端场效应管的漏极端接口并联后串联有接地电容C3。
8.根据权利要求7所述的主板上电模式的自动切换电路，其特征在于，所述P沟道单端场效应管的源极端接口并联后串联有接地电容C4。
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