[实用新型]双通路高浪涌大通流TSS器件有效
| 申请号： | 201921722504.9 | 申请日： | 2019-10-12 |
| 公开（公告）号： | CN210272350U | 公开（公告）日： | 2020-04-07 |
| 发明（设计）人： | 张英鹏;苏海伟;魏峰;单少杰;王帅;蒋立柱 | 申请（专利权）人： | 上海长园维安微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/07 | 分类号： | H01L25/07;H01L23/495 |
| 代理公司： | 上海诺衣知识产权代理事务所(普通合伙) 31298 | 代理人： | 衣然 |
| 地址： | 201202 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 通路 浪涌 通流 tss 器件 | ||
【权利要求书】：
1.双通路高浪涌大通流TSS器件，其特征在于，包括：
TSS芯片1,放置在第一框架的焊接区域上，第一框架和TSS芯片1通过焊料粘结；TSS芯片1朝下与第二框架的正面焊接区域粘结凝固；
TSS芯片2,放置在第三框架的焊接区域上，第三框架和TSS芯片2通过焊料粘结，TSS芯片2未粘结的另一面焊接区第二框架的另一面对齐叠片通过焊料进行粘结。
2.根据权利要求1所述的双通路高浪涌大通流TSS器件，其特征在于，第一框架、第二框架和第三框架均为铜框架。
3.根据权利要求1所述的双通路高浪涌大通流TSS器件，其特征在于，TSS芯片1和TSS芯片2版面均为5.0mm。
4.根据权利要求1所述的双通路高浪涌大通流TSS器件，其特征在于，第一框架和第三框架的至少一端贴合固定设置。
5.根据权利要求1所述的双通路高浪涌大通流TSS器件，其特征在于，第一框架的焊接区突出于第一框架表面，第三框架的焊接区突出于第三框架表面。
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