[实用新型]双通路高浪涌大通流TSS器件

说明书

本实用新型提出了一种双通路高浪涌大通流TSS器件,包括：TSS芯片1,放置在第一框架的焊接区域上，第一框架和TSS芯片1通过焊料粘结；TSS芯片1朝下与第二框架的正面焊接区域粘结凝固；TSS芯片2,放置在第三框架的焊接区域上，第三框架和TSS芯片2通过焊料粘结，TSS芯片2未粘结的另一面焊接区第二框架的另一面对齐叠片通过焊料进行粘结；本实用新型能够大大缩小TSS器件占板面积，同时具有抗高浪涌和大通流的防护特点。

技术领域

本实用新型属于半导体技术领域，特别涉及一种双通路高浪涌大通流TSS器件。

背景技术

随着5G时代的到来，未来的通信基站或机柜会朝着精密化、集成化方向发展。对基站或机柜中的防护器件的小型化要求日趋紧迫。

TSS，是指Thyristor Surge Protection Device，又称晶闸管浪涌保护器件或半导体放电管，晶闸管浪涌保护器件或半导体放电管TSS，是基于半导体晶闸管开关特性，TSS两端偏压低于击穿电压时呈高阻态，相当于断路；当出现高于击穿电压的过压事件发生时立刻响应，变为低阻态，且电阻极低，相当于短路，过压引起的浪涌会及时通过TSS被转移到地。但是目前的TSS器件为了要达到高浪涌大通流的目的，通常要多个器件进行组合使用，由于器件的独立封装导致了占PCB的空间较大，也在无形中增大了成本。

因此，鉴于上述方案于实际制作及实施使用上的缺失之处，而加以修正、改良，同时本着求好的精神及理念，并由专业的知识、经验的辅助，以及在多方巧思、试验后，方创设出本实用新型，特再提供一种双通路高浪涌大通流TSS器件制造方法，能够实现差模防护或共模防护的双路高浪涌大通流的半导体放电管TSS将节约PCB板空间，外形尺寸接近于传统的SMC封装外形，大大缩小占板面积，从而降低成本，同时具有抗高浪涌和大通流的防护特点。

实用新型内容

本实用新型提出一种双通路高浪涌大通流TSS器件制造方法，解决了现有技术中的问题。

本实用新型的技术方案是这样实现的：

双通路高浪涌大通流TSS器件，包括：

TSS芯片1,放置在第一框架的焊接区域上，第一框架和TSS芯片1通过焊料粘结；TSS芯片1朝下与第二框架的正面焊接区域粘结凝固；

TSS芯片2,放置在第三框架的焊接区域上，第三框架和TSS芯片2通过焊料粘结，TSS芯片2未粘结的另一面焊接区第二框架的另一面对齐叠片通过焊料进行粘结。

第一框架、第二框架和第三框架均为铜框架。

TSS芯片1和TSS芯片2版面均为5.0mm。

第一框架和第三框架的至少一端贴合固定设置。

第一框架的焊接区突出于第一框架表面，第三框架的焊接区突出于第三框架表面。

其制造方法，包括如下步骤：

步骤A:将TSS芯片1放到第一框架的焊接区域上，对第一框架和TSS芯片1利用焊料进行粘结，然后使焊料凝固；

步骤B：将步骤A已粘结好的TSS芯片1朝下与第二框架的正面焊接区域利用焊料进行粘结，然后使焊料凝固；

步骤C：将TSS芯片2放到第三框架的焊接区域上，对第三框架和TSS芯片2进行利用焊料进行粘结，然后使焊料凝固；

步骤D：在步骤C的TSS芯片2未粘结的另一面焊接区，与步骤B已粘结好的第二框架的另一面进行对齐叠片利用焊料进行粘结，然后使焊料凝固；

步骤E：对步骤D凝固后的整体进行隧道炉焊接。

作为一种优选的实施方式，步骤A、步骤B和步骤C中的第一框架、第二框架和第三框架均为铜框架。