[实用新型]晶圆清洗平台及半导体设备

权利要求书

1.一种晶圆清洗平台，其特征在于，包括：

旋转平台；

第一晶圆吸附装置，设置于所述旋转平台的中心处，且可沿垂直于所述旋转平台的上表面的方向升降运动；

第二晶圆吸附装置，设置于所述旋转平台的上表面，且位于所述第一晶圆吸附装置的外围；

清洗喷嘴，设置于所述旋转平台的上表面，所述清洗喷嘴的顶部与所述旋转平台的上表面的距离小于所述第二晶圆吸附装置的顶部与所述旋转平台的上表面的距离。

2.根据权利要求1所述的晶圆清洗平台，其特征在于，所述旋转平台的中心设有沿厚度方向贯穿所述旋转平台的贯通孔。

3.根据权利要求2所述的晶圆清洗平台，其特征在于，

所述第一晶圆吸附装置包括：第一支撑柱、第一吸附盘以及第一驱动装置；所述第一支撑柱位于所述贯通孔内，且经由所述贯通孔贯穿所述旋转平台；所述第一支撑柱与所述第一驱动装置连接，并在所述第一驱动装置的驱动下升降运动；所述第一吸附盘位于所述第一支撑柱的顶部，且位于所述旋转平台的上方；

所述第二晶圆吸附装置包括：第二支撑柱及第二吸附盘；所述第二支撑柱的底部与所述旋转平台的上表面相连接；所述第二吸附盘设置于所述第二支撑柱的顶部。

4.根据权利要求1所述的晶圆清洗平台，其特征在于，

所述第一晶圆吸附装置包括：第一支撑柱、第一吸附盘以及第一驱动装置；所述第一支撑柱的底部与所述旋转平台的上表面连接；所述第一支撑柱与所述第一驱动装置连接，并在所述第一驱动装置的驱动下升降运动；所述第一吸附盘设置于所述第一支撑柱的顶部，且位于所述旋转平台的上方。

5.根据权利要求1所述的晶圆清洗平台，其特征在于，所述清洗喷嘴包括清洗液喷头和伸缩旋转机构，所述伸缩旋转机构一端倾斜设置在所述旋转平台的上表面，所述伸缩旋转机构的另一端连接所述清洗液喷头，所述清洗液喷头在所述伸缩旋转机构的作用下相对于所述旋转平台的上表面实现伸缩运动和旋转运动。

6.根据权利要求1至5任一所述的晶圆清洗平台，其特征在于，所述第二晶圆吸附装置的顶部与所述旋转平台的上表面的距离小于所述第一晶圆吸附装置的顶部与所述旋转平台的上表面的最大距离，且大于所述第一晶圆吸附装置的顶部与所述旋转平台的上表面的最小距离。

7.一种半导体设备，其特征在于，包括：主机台、如权利要求1至6中任一项所述的晶圆清洗平台、存储腔室、传送装置及控制装置；其中，

所述晶圆清洗平台及所述存储腔室位于所述主机台的侧边；

所述存储腔室用于存储伪晶圆；

所述传送装置与所述控制装置连接，用于将所述伪晶圆在所述主机台、所述存储腔室以及所述晶圆清洗平台之间传送；

所述控制装置与所述主机台以及所述传送装置相连接，用于当所述主机台完成对所述伪晶圆的工艺处理时控制所述传送装置将所述伪晶圆传送至所述存储腔室或所述晶圆清洗平台。

8.根据权利要求7所述的半导体设备，其特征在于，所述主机台包括检测装置，所述检测装置用于在所述主机台对所述伪晶圆进行工艺处理前检测所述伪晶圆的背面是否存在颗粒缺陷，并在检测到所述伪晶圆的背面存在所述颗粒缺陷时，检测完成当下预设主工艺的工艺晶圆的背面是否存在与所述伪晶圆的背面相同数量的同类颗粒缺陷。

9.根据权利要求8所述的半导体设备，其特征在于，所述半导体设备还包括报警装置，所述报警装置与所述检测装置相连接，用于在检测到清洗后的所述伪晶圆的背面存在与清洗前相同类型的缺陷时报警。

10.根据权利要求7至9任一所述的半导体设备，其特征在于，所述伪晶圆包括硅衬底，所述硅衬底表面设置有疏水膜。