[实用新型]晶圆清洗平台及半导体设备

说明书

本实用新型涉及一种晶圆清洗平台及半导体设备，包括：旋转平台；第一晶圆吸附装置，设置于所述旋转平台的中心处，且可沿垂直于所述旋转平台的上表面的方向升降运动；第二晶圆吸附装置，设置于所述旋转平台的上表面，且位于所述第一晶圆吸附装置的外围；清洗喷嘴，设置于所述旋转平台的上表面，所述清洗喷嘴的顶部与所述旋转平台的上表面的距离小于所述第二晶圆吸附装置的顶部与所述旋转平台的上表面的距离。晶圆清洗平台可以对伪晶圆的背面进行清洗，减少对半导体设备中的晶圆吸盘的污染，提高产品良率，提高生产效率，延长晶圆吸盘的使用寿命。

技术领域

本实用新型涉及集成电路技术领域，特别是涉及一种晶圆清洗平台及半导体设备。

背景技术

为了提升制造设备初期制造过程中的稳定性，Dummy Wafer也被广泛投入使用，当譬如曝光设备的主机台长时间闲置(Idle)，为了保证曝光质量，在跑(Run)下一批次(lot)工艺晶圆时需要使用和工艺晶圆一样的曝光条件先跑两片伪晶圆(Chuck TemperatureControl wafer,CTC wafer)，以使得曝光设备达到理想的曝光条件。需要说明的是，CTCwafer是伪晶圆(dummy wafer)的一种，Dummy Wafer根据其功能可以分为很多种。

然而，在现有工艺中，卡盘温度控制晶圆跑完后直接由主机台传送回存储腔室，并在下次需要使用时直接将卡盘温度控制晶圆传送至主机台的工艺腔室内进行曝光；若由于人为、环境或其他因素造成卡盘温度控制晶圆的背面被污染，即卡盘温度控制晶圆的背面具有颗粒缺陷(particle)，在跑卡盘温度控制晶圆时颗粒缺陷回掉落在工作台(譬如，静电吸盘或真空吸盘等晶圆吸盘)上，影响工艺晶圆的曝光质量及良率；且对工作台造成污染，当工作台被污染时，需要人工使用大理石磨掉污染物，会影响生产效率及工作台的使用寿命。

实用新型内容

基于此，有必要针对上述问题，提供一种晶圆清洗平台及半导体设备，以减少对工作台的污染，提高产品良率，减少卡盘温度控制晶圆的使用量，提高生产效率，减少工作台的磨损，延长工作台的使用寿命。

一种晶圆清洗平台，包括：

旋转平台；

第一晶圆吸附装置，设置于所述旋转平台的中心处，且可沿垂直于所述旋转平台的上表面的方向升降运动；

第二晶圆吸附装置，设置于所述旋转平台的上表面，且位于所述第一晶圆吸附装置的外围；

清洗喷嘴，设置于所述旋转平台的上表面，所述清洗喷嘴的顶部与所述旋转平台的上表面的距离小于所述第二晶圆吸附装置的顶部与所述旋转平台的上表面的距离。

上述晶圆清洗平台可以在伪晶圆的背面存在颗粒缺陷时对伪晶圆的背面进行清洗，可以减少对半导体设备的主机台中的晶圆吸盘(即工作台)的污染，提高产品良率，减少伪晶圆的使用量，提高生产效率，减少晶圆吸盘的磨损，延长晶圆吸盘的使用寿命；通过设置第一晶圆吸附装置及第二晶圆吸附装置，可以在清洗过程中使用不同的晶圆吸附装置吸附伪晶圆，以实现分别对伪晶圆的背面及中心进行清洗。

在一个可选的实施例中，所述旋转平台的中心设有沿厚度方向贯穿所述旋转平台的贯通孔。

在一个可选的实施例中，所述第一晶圆吸附装置包括：第一支撑柱、第一吸附盘以及第一驱动装置；所述第一支撑柱位于所述贯通孔内，且经由所述贯通孔贯穿所述旋转平台；所述第一支撑柱与所述第一驱动装置连接，并在所述第一驱动装置的驱动下升降运动；所述第一吸附盘位于所述第一支撑柱的顶部，且位于所述旋转平台的上方；

所述第二晶圆吸附装置包括：第二支撑柱及第二吸附盘；所述第二支撑柱的底部与所述旋转平台的上表面相连接；所述第二吸附盘设置于所述第二支撑柱的顶部。