[实用新型]一种晶圆键合结构有效
申请号: | 201921743756.X | 申请日: | 2019-10-17 |
公开(公告)号: | CN210628266U | 公开(公告)日: | 2020-05-26 |
发明(设计)人: | 何海洋;胡健峰;彭强 | 申请(专利权)人: | 无锡市查奥微电子科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/68 | 分类号: | H01L21/68;H01L21/67;H01L21/50;H01L21/60;B81C3/00 |
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地址: | 214000 江苏省无锡市新吴区*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 晶圆键合 结构 | ||
本实用新型属于晶圆结构技术领域,尤其为一种晶圆键合结构,包括透明玻璃罩、控制屏、激光测距仪、夹具和工作台,其特征在于:所述透明玻璃罩安装在挡板上表面,且两个所述透明玻璃罩对称安装在所述工作台上表面,把手安装在所述透明玻璃罩首端外表面,所述控制屏安装在右侧所述挡板外表面中间位置,温度检测器安装在后面所述挡板右上角内表面,且所述温度检测器与温度调节器水平,所述温度调节器安装在后面所述挡板左上角内表面。本实用新型通过利用激光测距仪测量距离,采用这种方式能够准确的测量两个支撑柱之间的距离,且支撑柱可在平面上往返移动,定位精确,保证了加工质量。
技术领域
本实用新型涉及晶圆结构领域,具体为一种晶圆键合结构。
背景技术
晶圆键合技术可以将不同材料的晶圆结合在一起,常用的键合技术有:硅-硅直接键合、硅-玻璃直接键合、金属扩散键合、聚合物粘接键合等,该技术已经应用于多个半导体领域,比如3D-TSV(3D硅通孔技术)、HB-LED(白光高亮度发光二极管)、SOI(绝缘体硅技术)、MEMS(微机电系统)等,是未来半导体行业发展的重要技术之一。根据不同的应用领域,晶圆键合的工艺参数都不相同,但是基本原理相似,主要包括抽真空、升温、施加压力、降温和破真空等工艺。
现有的一种晶圆键合结构存在以下不足:
1、现有的一套完整的晶圆键合工艺主要由两类设备组成,这种传统的方法成本高,效率低;
2、现有的晶圆键合机台在键合晶圆时需要对两片晶圆的间距进行控制,目前采用的方法对晶圆间距测量精度存在一定的差异。
实用新型内容
(一)解决的技术问题
针对现有技术的不足,本实用新型提供了一种晶圆键合结构,解决了现有的成本高、效率低的问题。
(二)技术方案
为实现上述目的,本实用新型提供如下技术方案:一种晶圆键合结构,包括透明玻璃罩、控制屏、激光测距仪、夹具和工作台,其特征在于:所述透明玻璃罩安装在挡板上表面,且两个所述透明玻璃罩对称安装在所述工作台上表面,把手安装在所述透明玻璃罩首端外表面,所述控制屏安装在右侧所述挡板外表面中间位置,温度检测器安装在后面所述挡板右上角内表面,且所述温度检测器与温度调节器水平,所述温度调节器安装在后面所述挡板左上角内表面,所述激光测距仪安装在支撑柱上表面右端中间位置,所述支撑柱下表面内部安装有滚筒电机,且所述滚筒电机安装在右侧所述支撑柱下端中间位置,所述滚筒电机外表面安装有齿轮牙,传动轴安装在所述滚筒电机内部,且所述传动轴贯穿所述滚筒电机位于所述支撑柱内壁圆孔内,所述夹具安装在所述支撑柱左侧端面上,冷却环安装在所述夹具外表面,加热环安装在所述冷却环与隔热盘之间,所述工作台上表面设置有凹槽,且所述凹槽设置在所述工作台中间位置,滑道安装在所述凹槽侧面表面,且所述滑道镶嵌在所述凹槽内表面,支撑腿安装在所述工作台下表面拐角位置。
作为本实用新型的一种优选技术方案,传轴承安装在所述支撑柱外表面,且两个传轴承关于圆心对称安装在所述支撑柱下端。
作为本实用新型的一种优选技术方案,所述温度调节器安装在挡板内表面,且所述温度调节器位于挡板左上角。
作为本实用新型的一种优选技术方案,所述隔热盘安装在所述支撑柱左侧端面上,且所述隔热盘设置在所述支撑柱内部。
作为本实用新型的一种优选技术方案,齿轮条安装在所述凹槽下表面,且所述齿轮条位置所述凹槽下表面中间位置。
作为本实用新型的一种优选技术方案,防滑垫安装在所述支撑腿下表面。
(三)有益效果
与现有技术相比,本实用新型提供了一种晶圆键合结构,具备以下有益效果:
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造