[实用新型]倒装发光二极管芯片

权利要求书

1.一种倒装发光二极管芯片，其特征在于，包括：

衬底(10)，具有第一表面(110)，所述第一表面(110)图案化设置有多个凸起结构(130)；

缓存层(20)，设置于所述第一表面(110)的中部区域，并位于所述多个凸起结构(130)远离所述第一表面(110)的表面；

第一半导体层(30)，设置于所述缓存层(20)远离所述多个凸起结构(130)的表面；

平台(60)，位于所述第一表面(110)的边缘，与所述缓存层(20)和所述第一半导体层(30)相邻设置，所述平台(60)覆盖于所述凸起结构(130)远离所述第一表面(110)的表面；

反射层(40)，设置于所述平台(60)远离所述凸起结构(130)的表面。

2.如权利要求1所述的倒装发光二极管芯片，其特征在于，所述第一半导体层(30)的边缘、所述缓存层(20)的边缘与所述第一表面(110)包围形成隔离槽(50)，所述平台(60)设置于所述隔离槽(50)，所述隔离槽(50)内设置有所述凸起结构(130)，所述平台(60)将所述隔离槽(50)内的多个所述凸起结构(130)覆盖。

3.如权利要求2所述的倒装发光二极管芯片，其特征在于，所述平台(60)、所述缓存层(20)以及所述第一半导体层(30)一体成型。

4.如权利要求3所述的倒装发光二极管芯片，其特征在于，所述缓存层(20)朝所述第一表面(110)边缘延伸，形成所述平台(60)。

5.如权利要求1所述的倒装发光二极管芯片，其特征在于，所述第一表面(110)远离所述平台(60)的一侧的边缘未设置所述凸起结构(130)。

6.如权利要求2所述的倒装发光二极管芯片，其特征在于，所述第一半导体层(30)远离所述缓存层(20)表面设置有第一半导体平台(311)，所述第一半导体平台(311)设置有第一电极(310)；

所述第一半导体层(30)远离所述缓存层(20)表面依次设置有发光层(320)、第二半导体层(330)以及电流扩展层(340)，且所述第一电极(310)与所述发光层(320)间隔设置于所述第一半导体层(30)表面。

7.如权利要求6所述的倒装发光二极管芯片，其特征在于，所述电流扩展层(340)远离所述第二半导体层(330)的表面设置有第二电极(341)。

8.如权利要求7所述的倒装发光二极管芯片，其特征在于，所述反射层(40)设置于所述平台(60)、所述电流扩展层(340)远离所述第二半导体层(330)的表面以及所述第一半导体层(30)，用以将所述第一电极(310)与所述第二电极(341)露出。

9.如权利要求8所述的倒装发光二极管芯片，其特征在于，所述倒装发光二极管芯片还包括：

第一电极焊盘(710)，设置于所述第一电极(310)表面，且将所述第一电极(310)覆盖实现电连接。

10.如权利要求8所述的倒装发光二极管芯片，其特征在于，所述倒装发光二极管芯片还包括：

第二电极焊盘(720)，设置于所述第二电极(341)表面，且将所述第二电极(341)覆盖实现电连接。