[实用新型]倒装发光二极管芯片

说明书

本申请提供一种倒装发光二极管芯片。所述倒装发光二极管芯片从发光层出射的光，一部分直接射出所述衬底。一部分射向电流扩展层，经过反射层反射后射出所述衬底。由于光线在射出所述衬底时容易发生全反射，此部分光有机会经过所述反射层而后射出所述衬底。所述平台将所述衬底边缘设置的多个所述凸起结构覆盖。也就是说所述平台设置在所述反射层和所述凸起结构之间，使得所述反射层靠近所述衬底的表面为平坦结构，可以解决由图案化微结构导致的所述反射层起伏不平问题。从而，通过所述平台使得所述反射层靠近所述衬底的表面为平坦结构，提高了所述反射层的反射率，更加有效的反射射到此处的光线，提高了所述倒装发光二极管芯片的发光效率。

技术领域

本申请涉及半导体技术领域，特别是涉及一种倒装发光二极管芯片。

背景技术

发光二极管(Light Emitting Diode，LED)将电能转化为光能，发光黄、绿、蓝等各种颜色的可见光以及红外和紫外不可见光。与白炽等和氖灯相比，LED具有工作电压和电流低、可靠性高、寿命长且方便调节发光亮度等优点。

随着LED灯市场爆发的日益临近，LED封装技术的研发竞争也十分激烈。倒装发光二极管芯片可以解决正装LED芯片由于电流拥挤衍生的散热问题。但是，传统的倒装发光二极管芯片由于设置有图案化蓝宝石衬底结构，使得倒装覆盖在隔离槽上的反射层起伏不平，进而使得光照射到反射层时会发生不可控的各个方向的反射，降低了反射层的反射率，从而不能有效的反射射到此处的光线，降低了传统倒装发光二极管芯片的发光效率。

实用新型内容

基于此，有必要针对传统的倒装发光二极管芯片的发光效率偏低的问题，提供一种提高了光提取效率的倒装发光二极管芯片。

本申请提供一种倒装发光二极管芯片包括衬底、缓存层、第一半导体层、平台以及反射层。所述衬底具有相对的第一表面。所述第一表面图案化设置有多个凸起结构，形成图案化衬底。所述缓存层设置于所述第一表面的中部区域，并位于所述多个凸起结构远离所述第一表面的表面。所述第一半导体层设置于所述缓存层远离所述多个凸起结构的表面。所述平台位于所述第一表面的边缘，与所述缓存层和所述第一半导体层相邻设置，所述平台覆盖于所述凸起结构远离所述第一表面的表面。所述反射层设置于所述平台远离所述凸起结构的表面。

在一个实施例中，所述第一半导体层的边缘、所述缓存层的边缘与所述第一表面包围形成隔离槽。所述平台设置于所述隔离槽。所述隔离槽内设置有所述凸起结构。所述平台将所述隔离槽内的多个所述凸起结构覆盖。

在一个实施例中，所述平台、所述缓存层以及所述第一半导体层一体成型。

在一个实施例中，所述缓存层朝所述第一表面边缘延伸，形成所述平台。

在一个实施例中，所述第一表面远离所述平台的一侧边缘未设置所述凸起结构。

在一个实施例中，所述第一半导体层远离所述缓存层表面设置有第一半导体平台。所述第一半导体平台设置有第一电极。所述第一半导体层远离所述缓存层表面依次设置有发光层、第二半导体层以及电流扩展层。且所述第一电极与所述发光层间隔设置于所述第一半导体层表面，用以将所述第一电极露出。

在一个实施例中，所述电流扩展层远离所述第二半导体层的表面设置有第二电极。

在一个实施例中，所述反射层设置于所述平台、所述电流扩展层远离所述第二半导体层的表面以及所述第一半导体层，用以将所述第一电极与所述第二电极露出。

在一个实施例中，所述倒装发光二极管芯片还包括第一电极焊盘。所述第一电极焊盘设置于所述第一电极表面，且将所述第一电极覆盖实现电连接。

在一个实施例中，所述倒装发光二极管芯片还包括第二电极焊盘。所述第二电极焊盘设置于所述第二电极表面，且将所述第二电极覆盖实现电连接。