[实用新型]一种用于半导体晶圆生产的抛光设备有效
申请号: | 201921762877.9 | 申请日: | 2019-10-21 |
公开(公告)号: | CN211220177U | 公开(公告)日: | 2020-08-11 |
发明(设计)人: | 王国新 | 申请(专利权)人: | 丹阳市好猫半导体科技有限公司 |
主分类号: | B24B29/02 | 分类号: | B24B29/02;B24B47/12;B24B57/02 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 用于 半导体 生产 抛光 设备 | ||
本实用新型公开了一种用于半导体晶圆生产的抛光设备,具体涉及抛光设备技术领域,包括装置本体,所述装置本体的顶面固定安装有活动杆,所述活动杆的底端一体形成有打磨头,所述打磨头的顶端固定安装有打磨片,所述装置本体的底端固定安装有支撑装置,所述支撑装置的顶端固定安装有工作台,所述支撑装置的表面粘接有连接板,所述连接板的表面一体形成有支撑杆。本实用新型通过设置自动添液装置,使得操作人员在抛光半导体晶体时,自动添液装置定时滴落抛光液,滴落到半导体晶体的表面,使得操作人员无需分心来添加抛光液,使得操作人员一心一意对半导体晶体进行打磨,增加了该装置生产半导体晶体的加工质量,增加了该装置的实用性。
技术领域
本实用新型涉及抛光设备技术领域,更具体地说,本实用新型涉及一种用于半导体晶圆生产的抛光设备。
背景技术
晶圆是指硅半导体集成电路制作所用的硅晶片,由于其形状为圆形,故称为晶圆,在硅晶片上可加工制作成各种电路元件结构,而成为有特定电性功能的集成电路产品,晶圆的原始材料是硅,而地壳表面有用之不竭的二氧化硅,二氧化硅矿石经由电弧炉提炼,盐酸氯化,并经蒸馏后,制成了高纯度的多晶硅,其纯度高达99.999%,抛光是指利用机械、化学或电化学的作用,使工件表面粗糙度降低,以获得光亮、平整表面的加工方法。是利用抛光工具和磨料颗粒或其他抛光介质对工件表面进行的修饰加工。
但是其在实际使用时,仍旧存在一些缺点,如:
(1)、现有装置在打磨半导体晶圆时,由于现有装置在打磨半导体晶体时需要添加抛光液,现有装置一般都由操作人员自行进行加液操作,添加抛光液到半导体晶体的表面,操作人员自行添加抛光液增加了操作人员的工作难度,提高了该装置的操作难度,降低了该装置的实用性,不利于增加该装置的工作效率,增加了该装置的意外问题发生率。
(2)、现有装置在给半导体晶圆添加抛光液时,由于操作人员添加抛光液无法控制抛光液的滴落速度,使得该装置在打磨不同的半导体晶片时,该装置打磨半导体晶体的加工质量会受到影响,增加了半导体晶片加工的报废率,不利于该装置的实用性与经济效益。
因此亟需提供一种能自动添加抛光液的一种用于半导体晶圆生产的抛光设备。
实用新型内容
为了克服现有技术的上述缺陷,本实用新型的实施例提供一种用于半导体晶圆生产的抛光设备,通过设置本实用新型通过设置自动添液装置,使得操作人员在抛光半导体晶体时,自动添液装置定时滴落抛光液,滴落到半导体晶体的表面,使得操作人员无需分心来添加抛光液,使得操作人员一心一意对半导体晶体进行打磨,增加了该装置生产半导体晶体的加工质量,增加了该装置的实用性,通过设置椭圆轮与堵塞板,使得操作人员可通过控制椭圆轮的转动速度,来调整堵塞板堵塞自动添液装置的出液口时间,使得操作人员可根据待加工的半导体晶体的型号不同,从而来调整抛光液的滴落数量与速度,增加了该装置的实用性,以解决上述背景技术中提出的问题。
为实现上述目的,本实用新型提供如下技术方案:一种用于半导体晶圆生产的抛光设备,包括装置本体,所述装置本体的顶面固定安装有活动杆,所述活动杆的底端一体形成有打磨头,所述打磨头的顶端固定安装有打磨片,所述装置本体的底端固定安装有支撑装置,所述支撑装置的顶端固定安装有工作台,所述支撑装置的表面粘接有连接板,所述连接板的表面一体形成有支撑杆,所述工作台的顶面固定安装有抛光垫,所述装置本体的顶端内部固定安装有自动添液装置,所述自动添液装置的内部摩擦连接有堵塞板的顶端一体形成有连接杆,所述连接杆的表面活动安装有椭圆轮,所述椭圆轮的表面活动安装有中心轴,所述自动添液装置的底端焊接有过滤网。
在一个优选地实施方式中,所述打磨头的顶面形状为弧形,且打磨头的表面光滑。
在一个优选地实施方式中,所述打磨片的表面粗糙,且打磨片的材质为合金质构件,所述打磨片的厚度值为一毫米至两毫米。
在一个优选地实施方式中,所述抛光垫的厚度值为三厘米至四厘米,且抛光垫的材质为弹性材料质构件。
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