[实用新型]晶圆的湿处理系统

说明书

本实用新型公开了一种晶圆的湿处理系统，晶圆的湿处理系统包括：喷淋头，设置有至少一个喷洒孔，用于喷洒待喷洒液；真空吸盘，位于所述喷淋头的下方，所述真空吸盘包括有承载吸板和壳体，所述壳体和承载吸板构成所述真空吸盘的腔体，所述承载吸板还设有贯通所述腔体的至少一个通孔，所述承载吸板用于放置所述晶圆。解决了晶圆清洗和/或刻蚀不均匀的问题，达到了提高晶圆的良品率、质量及可靠性的效果。

技术领域

本实用新型实施例涉及晶圆的湿处理技术，尤其涉及一种晶圆的湿处理系统。

背景技术

现有技术中，对晶圆生产制造过程进行清洗或蚀刻时，一般采用传统硅工艺中的“水槽浸泡”法，参见图1，该方法将多个晶圆1纵向放置于晶圆篮12中，再将晶圆11和晶圆篮12同时浸入盛放有清洗液或蚀刻液14的化学槽13中，一段时间后再将晶圆11和晶圆篮12取出。使用该方法清洗和/或蚀刻晶圆的下端最先接清洗液或蚀刻液，最后脱离清洗液或蚀刻液；晶圆上端最后接触清洗液或蚀刻液，最先脱离清洗液或蚀刻液；并且清洗液或蚀刻液在晶圆取出时由上往下流，会造成在晶圆在各道清洗或蚀刻工序的时间差异，使晶圆上下位置的清洗程度或蚀刻程度不同，导致晶圆的清洗或蚀刻不均匀而导致同一参数制备的晶圆的结构和性能有所差异。

在实际生产过程中，为控制成本，水槽中的清洗液或蚀刻液，通常都是固定更换周期(如24h/次)，或者在处理多批次晶圆后才更换一次。该方法还会随着清洗液持续使用，清洗液浓度发生变化，颗粒及杂质变脏，最终导致不同批次的晶圆清洗或蚀刻程度也不相同，响降低晶圆的良品率、质量及可靠性。

实用新型内容

本实用新型提供一种晶圆的湿处理系统，以实现提高晶圆的良品率、质量及可靠性的效果。

第一方面，本实用新型实施例提供了一种晶圆的湿处理系统，用于清洗和/或蚀刻晶圆，包括：

喷淋头，设置有至少一个喷洒孔，用于喷洒待喷洒液；

真空吸盘，位于所述喷淋头的下方，所述真空吸盘包括有承载吸板和壳体，所述壳体和承载吸板构成所述真空吸盘的腔体，所述承载吸板还设有贯通所述腔体的至少一个通孔，所述承载吸板用于放置所述晶圆。

可选的，所述晶圆的湿处理系统还包括：

至少一个液桶，用于盛放待喷洒液，所述喷淋头通过进液管与所述至少一个液桶贯通。

可选的，所述晶圆的湿处理系统还包括：

真空压力传感器，设置于真空吸盘的腔体内，用于检测真空吸盘的腔体的真空压力；

真空泵，通过抽气管与所述真空吸盘的腔体相连，用于对所述真空吸盘的腔体进行抽气以通过所述承载吸板的至少一个通孔吸附所述晶圆；

真空阀，设置于所述抽气管上，用于控制抽气流量。

可选的，所述承载吸板还包括：

重量传感器，用于检测放置于所述承载吸板上的所述晶圆的重量。

可选的，所述晶圆的湿处理系统还包括：

喷淋开关，设置于所述进液管上，用于控制所述待喷洒液的喷洒流量。

可选的，所述至少一个喷洒孔还包括：

喷洒孔开关，用于控制预设分布位置和预设数量的喷洒孔的工作状态。

可选的，所述待喷洒液包括清洗液、蚀刻液或DI纯水的其中一种或多种。

可选的，所述承载吸板上方还设有图像采集模块，所述图像采集模块用于采集承载吸板上的图像。

可选的，所述喷淋头和所述承载吸板为圆形。

可选的，所述喷淋头的直径大于所述承载吸板的直径。