[实用新型]一种巨量转移MicroLED芯片的系统有效
| 申请号： | 201921774753.2 | 申请日： | 2019-10-21 |
| 公开（公告）号： | CN211320053U | 公开（公告）日： | 2020-08-21 |
| 发明（设计）人： | 仇美懿;林耀辉;庄家铭 | 申请（专利权）人： | 佛山市国星半导体技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/68 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 胡枫;李素兰 |
| 地址： | 528200 广东省佛山市南海区狮*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 巨量 转移 microled 芯片 系统 | ||
1.一种巨量转移MicroLED芯片的系统，其特征在于，包括:
基板，所述基板的表面设有第一金属层；
MicroLED芯片预处理设备，用于在MicroLED芯片的底面镀有第二金属层；
等离子清洗机，用于对基板的第一金属层的表面离子进行清洗，使第一金属层带正离子；
紫外照射装置，用于对MicroLED芯片的第二金属层进行照射紫外光处理，使第二金属层带负离子；
液体槽，所述液体槽内装有不导电液体。
2.如权利要求1所述的巨量转移MicroLED芯片的系统，其特征在于，所述基板为凹形基板或凸形基板。
3.如权利要求2所述的巨量转移MicroLED芯片的系统，其特征在于，所述凹形基板上设有多个凹槽，所述第一金属层设于凹槽的底部。
4.如权利要求2所述的巨量转移MicroLED芯片的系统，其特征在于，所述凸形基板上设于多个凸起，所述第一金属层设于凸起的顶部。
5.如权利要求1所述的巨量转移MicroLED芯片的系统，其特征在于，所述离子清洗机的腔室中通入Ar 10-100sccm。
6.如权利要求1所述的巨量转移MicroLED芯片的系统，其特征在于，所述紫外照射系统包括照射室和紫外灯，所述紫外灯置于照射室内，所述照射室内填充有第一气体。
7.如权利要求6所述的巨量转移MicroLED芯片的系统，其特征在于，所述第一气体为CO、O2或CH4。
8.如权利要求6所述的巨量转移MicroLED芯片的系统，其特征在于，所述紫外灯发出波长为260-400nm的紫外光。
9.如权利要求1所述的巨量转移MicroLED芯片的系统，其特征在于，所述第二金属层的厚度为10-100nm。
10.如权利要求1所述的巨量转移MicroLED芯片的系统，其特征在于，所述第一金属层采用金、银、铝、铜或铂制成；
所述第二金属层采用钛或铂制成；
所述不导电液体为纯水。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
