[实用新型]一种巨量转移MicroLED芯片的系统有效
申请号: | 201921774753.2 | 申请日: | 2019-10-21 |
公开(公告)号: | CN211320053U | 公开(公告)日: | 2020-08-21 |
发明(设计)人: | 仇美懿;林耀辉;庄家铭 | 申请(专利权)人: | 佛山市国星半导体技术有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/68 |
代理公司: | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人: | 胡枫;李素兰 |
地址: | 528200 广东省佛山市南海区狮*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 巨量 转移 microled 芯片 系统 | ||
本实用新型公开了一种巨量转移MicroLED芯片的系统,包括:基板,所述基板的表面设有第一金属层;MicroLED芯片预处理设备,用于在MicroLED芯片的底面镀有第二金属层;等离子清洗机,用于对基板的第一金属层的表面离子进行清洗,使第一金属层带正离子;紫外照射装置,用于对MicroLED芯片的第二金属层进行照射紫外光处理,使第二金属层带负离子;液体槽,所述液体槽内装有不导电液体。采用本实用新型,实现了巨量转移,操作简单,效率高,且定位精准。
技术领域
本实用新型涉及MicroLED芯片技术领域,特别涉及一种巨量转移MicroLED芯片的系统。
背景技术
MicroLED比现有的OLED技术亮度更高、发光效率更好、但功耗更低。MicroLED出色的特性将使得它可以在电视、iPhone、iPad上应用。
MicroLEDDisplay的显示原理,是将LED结构设计进行薄膜化、微小化、阵列化,其尺寸仅在1-10μm等级左右;后将MicroLED批量式转移至电路基板上,其基板可为硬性、软性之透明、不透明基板上;再利用物理沉积制程完成保护层与上电极,即可进行上基板的封装,完成结构简单的MicroLED显示。
批量式转移是指在指甲盖大小的TFT电路基板上,按照光学和电气学的必要规范,均匀焊接三五百,甚至更多个红绿蓝三原色LED微小晶粒,且允许的工艺失败率是有几十万分之一。因此,MicroLED的核心技术之一就是如何实现批量式转移技术。
现有转移技术,无法精准地实现批量式转移,例如:对比文件1,公开号为CN109950182A《MicroLED的巨量转移方法和巨量转移装置》,该Micro LED的巨量转移方法包括:提供MicroLED芯片,能够发出第一颜色的Micro LED芯片的横截面形状不同于能够发出第二颜色的第二MicroLED芯片的横截面形状;向装载模具的装载面上一次性倾倒MicroLED芯片,装载面上设置有装载槽,装载槽具有与所述第一MicroLED芯片的形状相匹配的第一形状和与第二MicroLED芯片的形状相匹配的第二形状;使装载模具震动,并使MicroLED芯片落入匹配的装载槽,并倾斜装载模具,使未落入装载槽的MicroLED芯片离开装载面。
即,对比文件1是通过将不同颜色的MicroLED芯片设计成不同的横截面形状,如此,可一次性实现多种不同颜色的MicroLED芯片的巨量转移过程,并且,装载模具上的一种装载槽的形状只与一种颜色的MicroLED芯片的形状相匹配,从而在成倍地提高转移效率的同时,还能保证较高的转移良率。
然而,此方法需要增加多道工序,将不同颜色的MicroLED芯片分类,并针对不同颜色的MicroLED芯片设置多种不同的横截面形状,而且,装载模具也需要设置不同形状的装载槽。设置不同形状的芯片和装载模具,耗费时间和人力物力,可行性差,且操作过程容易失误,转移良率低。
又如:对比文件2是申请人先前申请的专利,公开号为CN108767092A 《批量转移MicroLED芯片的方法》,包括:提供一带有通孔的基板;在基板的表面喷洒吸附液体;将MicroLED芯片放置在基板的表面;使通孔处于负压状态,将MicroLED芯片吸附在通孔上;除去通孔以外的MicroLED芯片和吸附液体;除去通孔内的吸附液体。其将基板上的通孔处于负压状态,同时利用吸附液体的表面张力,将随机、零散的MicroLED芯片吸附在通孔上,从而实现准确定位。
然而,此方法需要喷洒吸附液体,并将基板上的通孔处于负压状态,然后还要除去吸附液体。而且,转移过程中利用吸附液体进行转移,在负压的影响下,吸附液体较难操控,导致MicroLED芯片无法保证精准定位。
实用新型内容
本实用新型所要解决的第一个技术问题在于,提供一种巨量转移 MicroLED芯片的系统,实现了巨量转移,结构简单,效率高,且定位精准。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造