[实用新型]遮挡条和掩膜板组件有效
申请号: | 201921785370.5 | 申请日: | 2019-10-22 |
公开(公告)号: | CN210894986U | 公开(公告)日: | 2020-06-30 |
发明(设计)人: | 韩超杰;陈聪;李洋;冉应刚;蔡晓义 | 申请(专利权)人: | 信利(惠州)智能显示有限公司 |
主分类号: | G03F1/64 | 分类号: | G03F1/64 |
代理公司: | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人: | 黄鸿华 |
地址: | 516029 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 遮挡 掩膜板 组件 | ||
本实用新型涉及遮挡条和掩膜板组件,遮挡条的两端分别用于抵接在框架上,遮挡条相对的两端分别设置有连接结构,连接结构用于与框架焊接或粘接,遮挡条远离连接结构的位置开设有套接槽,套接槽用于活动套设在框架的定位块上。当遮挡条安装于框架上时,通过连接结构将遮挡条通过焊接或粘接与框架连接,这样,便能使得遮挡条固定于框架上,同时,将遮挡条的套接槽套设于定位块上,使得定位块的外侧表面活动抵接于套接槽的壁部,从而使得遮挡条受到压力时,套接槽的壁部抵接于定位块的外侧表面,使得遮挡条获得支撑,避免了遮挡条仅通过焊点或粘接点受力,从而避免焊点或粘接点容易断裂。
技术领域
本实用新型涉及阵列基板生产技术领域,特别是涉及遮挡条和掩膜板组件。
背景技术
有机发光二极管OLED(Organic Light Emitting Diode,OLED)是一种利用有机半导体材料在电流的驱动下产生的可逆变色来实现显示的技术。OLED具有超轻、超薄、高亮度、大视角、低电压、低功耗、快响应、高清晰度、抗震、可弯曲、发光效率高和温度范围宽等优点,被认为是最具有发展前途的新一代显示技术。制作AMOLED(Active-matrix organiclight-emitting diode,有源矩阵有机发光二极体或主动矩阵有机发光二极体)的多种技术中,目前较为成熟的技术为真空蒸镀技术,即在真空中,通过加热有机材料,使有机材料在掩膜板的作用下沉积在玻璃基板上,并于玻璃基板上形成特定的发光膜层,这一过程的实现与高精度的掩膜板组件具有密切的关系。目前的掩膜板组件的框架上设置遮挡条,遮挡条焊接于框架上,当玻璃基板放置在掩膜板组件上时,重量会压在遮挡条的中部位置,容易使得遮挡条与框架之间的焊点受力而断裂。
实用新型内容
基于此,有必要提供一种遮挡条和掩膜板组件。
一种遮挡条,所述遮挡条相对的两端分别用于与框架抵接,所述遮挡条相对的两端分别设置有连接结构,所述连接结构用于与所述框架焊接或粘接,所述遮挡条远离所述连接结构的位置开设有套接槽,所述套接槽用于活动套设在框架的定位块上。
上述遮挡条,当遮挡条安装于框架上时,通过连接结构将遮挡条通过焊接或粘接与框架连接,这样,便能使得遮挡条固定于框架上,同时,将遮挡条的套接槽套设于定位块上,使得定位块的外侧表面活动抵接于套接槽的壁部,从而使得遮挡条受到压力时,套接槽的壁部抵接于定位块的外侧表面,使得遮挡条获得支撑,避免了遮挡条仅通过焊点或粘接点受力,从而避免焊点或粘接点容易断裂,确保遮挡条连接结构的稳定性,保证了掩膜板组件的良率,亦提升了掩膜板组件的使用寿命。
在其中一个实施例中,所述连接结构为开设于所述遮挡条的多个焊接孔,所述焊接孔用于穿设焊锡。
在其中一个实施例中,所述遮挡条上还开设有对位孔,所述对位孔的截面面积小于所述套接槽的截面面积。
在其中一个实施例中,所述套接槽的截面形状呈矩形。
在其中一个实施例中,所述遮挡条的材料为金属或合金。
在其中一个实施例中,所述遮挡条的厚度为20μm~100μm。
在其中一个实施例中,所述遮挡条的厚度为30μm~50μm。
在其中一个实施例中,所述遮挡条的宽度为2mm~10mm。
在其中一个实施例中,所述遮挡条的宽度为3mm~6mm。
一种掩膜板组件,包括框架,还包括如上述任一实施例中所述的遮挡条,所述框架开设有蒸镀口,所述框架上设置有定位块,所述遮挡条的两端分别抵接在框架上,所述遮挡条的中部对齐于所述蒸镀口设置,所述连接结构与所述框架焊接,所述套接槽活动套设在框架的定位块上。
附图说明
图1为一个实施例的遮挡条的一方向的结构示意图;
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G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备