[实用新型]膜层沉积装置

说明书

本实用新型涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种膜层沉积装置。所述膜层沉积装置包括：承载部，用于承载晶圆；喷头，设置于所述承载部上方，用于向所述位于所述承载部的表面的所述晶圆喷射反应气体，所述反应气体用于在所述晶圆表面形成膜层；遮蔽结构，用于遮蔽所述喷头的边缘区域，以降低所述晶圆的边缘区域的所述反应气体浓度。本实用新型一方面，提高了膜层厚度的均匀性；另一方面，使得在后续刻蚀过程中，边缘区域的膜层能够充分被刻蚀，避免了膜层残留，改善了刻蚀质量。

技术领域

本实用新型涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种膜层沉积装置。

背景技术

动态随机存储器(Dynamic Random Access Memory，DRAM)等半导体器件的制造工艺中，刻蚀是至关重要的步骤。现有的刻蚀工艺主要包括湿法刻蚀 (Wet Etching)和干法刻蚀(Dry Etching)两种方式。干式刻蚀通常指利用辉光放电(Glow Discharge)方式，产生包含离子、电子等带电粒子以及具有高度化学活性的中性原子、分子及自由基的电浆，来进行图案转印(Pattern Transfer) 的刻蚀技术。

无论是干法刻蚀工艺还是湿法刻蚀工艺，图案都是通过若干层掩膜层向下转移，最终形成于晶圆表面。但是，在沉积掩膜层的过程中，由于晶圆的中心区域和边缘区域暴露于不同的处理条件，从而导致在晶圆表面形成的膜层边缘区域的厚度往往大于中心区域的厚度。这样，一方面，降低了所述膜层的厚度均匀性；另一方面，在图案向下转移的过程中，会由于膜层厚度不均，膜层边缘区域可能会出现刻蚀不完全的情况，而影响图案的向下转移，最终导致晶圆表面形成的图案与设计图案存在较大差异，影响最终半导体器件的良率，严重时甚至导致晶圆的报废。

因此，如何提高晶圆表面膜层厚度的均匀性，避免膜层边缘刻蚀不完全的问题，以改善刻蚀质量，是目前亟待解决的技术问题。

实用新型内容

本实用新型提供一种膜层沉积装置，用于解决现有技术中因膜层厚度不均匀而易导致膜层边缘刻蚀不完全的问题。

为了解决上述问题，本实用新型提供了一种膜层沉积装置，包括：

承载部，用于承载晶圆；

喷头，设置于所述承载部上方，用于向所述位于所述承载部的表面的所述晶圆喷射反应气体，所述反应气体用于在所述晶圆表面形成膜层；

遮蔽结构，用于遮蔽所述喷头的边缘区域，以降低所述晶圆的边缘区域的所述反应气体浓度。

可选的，所述喷头朝向所述承载部的表面为喷射面，所述喷射面上具有多个喷孔；所述遮蔽结构包括：

若干个遮蔽件，所述遮蔽件用于封闭若干个所述喷孔；

驱动器，连接所述遮蔽件，用于驱动所述遮蔽件朝向所述喷射面的边缘运动。

可选的，所述遮蔽件用于封闭所述喷孔的表面与所述喷射面所在的平面平行；或者，

所述遮蔽件用于封闭所述喷孔的表面相对于所述喷射面所在的平面倾斜一预设角度。

可选的，所述遮蔽件的数量为多个，且多个所述遮蔽件环绕所述喷射面的外围分布，且相邻所述遮蔽件的端部能够卡合连接；

所述驱动器连接多个所述遮蔽件，用于驱动多个所述遮蔽件同步朝向所述喷射面运动，使得多个所述遮蔽件相互连接形成遮蔽环。

可选的，所述遮蔽件的数量为多个，且多个所述遮蔽件环绕所述喷射面的外围分布；

所述驱动器连接多个所述遮蔽件，用于驱动至少一个所述遮蔽件朝向所述喷射面运动，以封闭所述喷射面上的若干所述喷孔。

可选的，多个所述喷孔呈环状排列，形成多个喷射环，且多个所述喷射环沿所述喷射面的中心指向所述喷射面的边缘的方向依次嵌套；