[实用新型]屏蔽环、屏蔽装置及电镀设备

说明书

本实用新型公开了一种屏蔽环、屏蔽装置及电镀设备，屏蔽环用于晶圆电镀，所述屏蔽环包括扰流部，所述扰流部与所述屏蔽环的内环面相连接，所述扰流部用于扰动电镀所述晶圆的电镀液，以使所述晶圆被均匀的电镀。本实用新型通过将屏蔽环设置在晶圆之前，使得电镀液需要先流过屏蔽环，在电镀液流经屏蔽环时，位于屏蔽环的内环面的扰流部能够促使电镀液发生旋转，从而有利于提高晶圆电镀层的均匀性。

技术领域

本实用新型涉及电镀领域，特别涉及一种屏蔽环、屏蔽装置及电镀设备。

背景技术

晶圆电镀是芯片制造湿制程的一个重要工艺步骤。晶圆电镀有水平电镀和垂直电镀。在晶圆电镀工艺中，镀层厚度均匀性是电镀效果的重要方面，各电镀设备制造商都在不断改良其设备，旨在改善其镀层厚度均匀性。

目前，芯片制造的晶圆有8英寸(200mm直径)和12英寸(300mm直径)两种。晶圆越大，其电镀时的整片厚度均匀性难度越大。

影响晶圆的镀层厚度均匀性的因素很多且很复杂，其中主要是电场和流体场两方面的影响。一般来说，镀层厚度的不均匀主要是指晶圆边缘和其内部之间的厚度的差异性较大。为了减少这种差异性，一般会采取用阴极边缘实心屏蔽板的方式，屏蔽掉晶圆边缘的一部分电力线，这种方式虽然对厚度均匀性的提升有益，但整片晶圆的镀层厚度均匀性问题仍在晶圆局部存在。而业界在改善晶圆镀层局部均匀性方面，尚未有好的解决方法。尤其是垂直电镀中，由于晶圆在电镀中难以旋转，局部的镀层厚度均匀性问题尤为突出。

实用新型内容

本实用新型要解决的技术问题是为了克服现有技术中的上述缺陷，提供一种屏蔽环、屏蔽装置及电镀设备。

本实用新型是通过下述技术方案来解决上述技术问题：

一种屏蔽环，用于晶圆电镀，其特点在于，所述屏蔽环包括扰流部，所述扰流部与所述屏蔽环的内环面相连接，所述扰流部用于扰动电镀所述晶圆的电镀液，以使所述晶圆被均匀的电镀。

在本实施例中，通过采用以上结构，通过将屏蔽环设置在晶圆之前，使得电镀液需要先流过屏蔽环，在电镀液流经屏蔽环时，位于屏蔽环的内环面的扰流部能够促使电镀液发生旋转，从而有利于提高晶圆电镀层的均匀性。

较佳地，所述扰流部具有扰流面，所述扰流面向所述内环面的轴线延伸，自所述扰流部与所述内环面的连接处至所述扰流部的末端，所述扰流面在垂直于所述内环面的平面内的投影的面积先大再小、先小再大、大小不变、或变大变小交替进行。

在本实施例中，通过采用以上结构，通过在扰流部上设置扰流面，使得扰流部能够更好的扰动电镀液的流动；通过将扰流面设计沿向内环面的轴向延伸，提高了扰流面的面积，使得扰流面能够接触更多的电镀液，有利于提高扰流面的扰动效率；通过将扰流面设计为在垂直于内环面的平面内的投影的面积先大再小，也就是扰流面在延伸过程中，先使扰流面发生扭转，使得扰流面在垂直于内环面的平面内的投影的面积逐渐变大；然后再将扰流面反向扭转，使得扰流面在垂直于内环面的平面内的投影的面积逐渐变小。扰流面的此种设计形式使得扰流面能够接触更多的电镀液，有利于提高扰流面的扰动效率。在其他实施例中，也可以将扰流面在垂直于所述内环面的平面内的投影的面积设计为先小再大、大小不变、或变大变小交替进行等等有规律或无规律的变化，均能达到上述效果。

较佳地，所述扰流部的末端还沿所述内环面的轴线向远离所述屏蔽环的方向延伸。

在本实施例中，通过采用以上结构，通过将扰流部的末端设计为沿内环面的轴线向远离所述屏蔽环的方向延伸，使得扰流面不仅在屏蔽环内扰动电解液，也使得扰流面变得更加立体，有利于提高扰流面的扰动效率。此外，也有利于控制电镀液流出扰流面的角度，从而使得电镀液按照预设方向流动。

较佳地，所述屏蔽环具有一个或多个所述扰流部，当为多个时，多个扰流部各自的形状相同或不同，多个所述扰流部均匀或非均匀的间隔设置在所述内环面上。