[实用新型]SIP模组和电子设备

说明书

本实用新型实施例提供一种SIP模组和电子设备，SIP模组包括基板、第一半导体芯片、第二半导体芯片及电磁屏蔽网。第一半导体芯片为中部镂空的环形芯片，且第一半导体芯片中部镂空区域的尺寸大于第二半导体芯片的尺寸，第一半导体芯片焊接在基板上，第二半导体芯片设置在第一半导体芯片中部镂空区域且焊接在基板上。电磁屏蔽网设置在第二半导体芯片上，且电磁屏蔽网与第一半导体芯片固定。通过设置在第二半导体上方的电磁屏蔽网对第一半导体芯片及第二半导体芯片进行电磁屏蔽，与填充屏蔽胶的方式相比，由于无需通过激光的方式开槽，本实用新型的电磁屏蔽网的结构更加简单，且电磁屏蔽效果更好。同时，也能在一定程度上节省购置激光头的成本。

技术领域

本实用新型涉及半导体领域，具体而言，涉及一种SIP模组和电子设备。

背景技术

SIP(System In a Package，系统级封装)封装是将多种功能芯片，包括处理器、存储器等功能的芯片集成在一个封装内，达到功能整合的目的。

随着科学技术的发展，现在的电子设备的尺寸逐渐减小，这导致采用SIP封装的电路组件与线路的分布密度过高，导致芯片与芯片之间出现电磁干扰现象。

现有技术中，通常是在基板塑封后通过激光在芯片与芯片之间的塑封体上开设一个凹槽，并在凹槽内填充屏蔽胶的方式解决芯片与芯片之间的电磁干扰问题。但基板在塑封后存在一定的翘曲度，采用激光开槽会造成开槽深度不稳定，若开槽深度小于塑封体厚度，使得屏蔽胶无法将芯片完全隔开，导致电磁屏蔽效果差。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种SIP模组和电子设备，采用电磁屏蔽网对不同的芯片进行电磁屏蔽。

本实用新型提供一种技术方案：

第一方面，实施例提供一种SIP模组，所述SIP模组包括基板、第一半导体芯片、第二半导体芯片及电磁屏蔽网；

所述第一半导体芯片为中部镂空的环形芯片，所述第一半导体芯片中部镂空区域的尺寸大于所述第二半导体芯片的尺寸；

所述第一半导体芯片焊接在所述基板上，所述第二半导体芯片设置在所述第一半导体芯片中部镂空区域且焊接在所述基板上；

所述电磁屏蔽网设置在所述第二半导体芯片上，且所述电磁屏蔽网与所述第一半导体芯片固定。

在可选的实施方式中，所述第一半导体芯片为中部镂空的六边形，且所述第一半导体芯片的中部镂空的区域为六边形。

在可选的实施方式中，所述第一半导体芯片包括内环及外环，所述第一半导体芯片的外环的厚度大于所述第一半导体芯片的内环的厚度，所述第一半导体芯片的外环与内环形成台阶；

所述第二半导体芯片的厚度小于所述第一半导体芯片的外环的厚度。

在可选的实施方式中，所述第一半导体芯片通过导线焊接在所述基板上，所述导线的两端分别与所述第一半导体芯片的外环及所述基板焊接；

所述第二半导体芯片倒装焊接在所述基板上。

在可选的实施方式中，所述电磁屏蔽网包括多根导线，所述导线的两端焊接在所述第一半导体芯片的内环且所述多根导线呈网状覆盖于所述第二半导体芯片上方形成电磁屏蔽层。

在可选的实施方式中，所述电磁屏蔽网的高度低于所述第一半导体芯片的外环的高度。

在可选的实施方式中，所述第一半导体芯片及所述第二半导体芯片上还覆盖有树脂材料，用于固定所述第一半导体芯片或所述第二芯片的各个引脚上设置的导线。

在可选的实施方式中，所述树脂材料上还设置有用于屏蔽电磁信号的金属膜。

在可选的实施方式中，所述第一半导体芯片及所述第二半导体芯片与所述基板之间还设置有用于导电的银浆层。