[实用新型]一种后刻蚀式N型接触钝化电池

权利要求书

1.一种后刻蚀式N型接触钝化电池，包括N型硅片、设于所述N型硅片正面一侧的正面结构以及设于所述N型硅片背面一侧的背面结构，所述背面结构包括隧穿层、n+多晶硅层、背面钝化层以及背面金属电极，所述隧穿层、所述n+多晶硅层以及所述背面钝化层沿渐远所述N型硅片的方向依次设置，其特征在于，所述n+多晶硅层朝向所述背面钝化层的表面局部凸出并嵌入所述背面钝化层中，所述背面金属电极贯穿所述背面钝化层，所述背面金属电极的内端与所述n+多晶硅层的凸出部份接触，其中，所述n+多晶硅层的非凸出部份的厚度为10-50nm，所述n+多晶硅层的凸出部份的厚度为50-250nm。

2.如权利要求1所述的N型接触钝化电池，其特征在于，所述n+多晶硅层的凸出部份和非凸出部份为通过掩膜刻蚀形成凸出部份和非凸出部份。

3.如权利要求1所述的N型接触钝化电池，其特征在于，所述隧穿层为通过沉积形成隧穿层。

4.如权利要求1所述的N型接触钝化电池，其特征在于，所述n+多晶硅层为通过沉积形成n+多晶硅层。

5.如权利要求1所述的N型接触钝化电池，其特征在于，所述背面钝化层均为减反钝化膜。

6.如权利要求1所述的N型接触钝化电池，其特征在于，所述正面结构包括p+掺杂层、正面钝化层以及正面金属电极，所述p+掺杂层和所述正面钝化层沿渐远所述N型硅片的方向依次设置，所述正面金属电极贯穿所述正面钝化层，所述正面金属电极的内端与所述p+掺杂层接触。

7.如权利要求6所述的N型接触钝化电池，其特征在于，所述p+掺杂层的掺杂剂为三溴化硼。

8.如权利要求6所述的N型接触钝化电池，其特征在于，所述p+掺杂层为通过气载掺杂剂的方式形成的p+掺杂层。

9.如权利要求6所述的N型接触钝化电池，其特征在于，所述正面钝化层为减反钝化膜。