[实用新型]一种后刻蚀式N型接触钝化电池

说明书

本实用新型公开了一种后刻蚀式N型接触钝化电池，包括N型硅片、正面结构以及背面结构，背面结构包括隧穿层、n+多晶硅层、背面钝化层以及背面金属电极，隧穿层、n+多晶硅层以及背面钝化层沿渐远N型硅片的方向依次设置，n+多晶硅层朝向背面钝化层的表面局部凸出并嵌入背面钝化层中，背面金属电极贯穿背面钝化层，背面金属电极的内端与n+多晶硅层的凸出部份接触，其中，n+多晶硅层的非凸出部份的厚度为10‑50nm，n+多晶硅层的凸出部份的厚度为50‑250nm。本实用新型既可以减少背面的自由载流子吸收，提升双面电池的双面率，又消除金属化区域的金属复合，进一步提升N型接触钝化电池转化效率。

技术领域

本实用新型设计太阳能电池领域，具体涉及一种后刻蚀式N型接触钝化电池。

背景技术

参见图1，为现有技术中的N型接触钝化电池，包括N型硅片11、设于N型硅片11正面一侧的正面结构以及设于N型硅片11背面一侧的背面结构，正面结构包括p+掺杂层12、正面钝化层13以及正面金属电极14，p+掺杂层12和正面钝化层13沿渐远N型硅片11的方向依次设置，正面金属电极14贯穿正面钝化层13，正面金属电极14的内端与p+掺杂层12接触，背面结构包括隧穿层15、n+多晶硅层16、背面钝化层17以及背面金属电极18，隧穿层15、n+多晶硅层16以及背面钝化层17沿渐远N型硅片11的方向依次设置，背面金属电极18贯穿背面钝化层17，背面金属电极18的内端与n+多晶硅层16的外端接触。制作时，先沉积一层1-2nm的隧穿层，然后沉积均匀厚度的n+多晶硅层，为了保证在后续金属化过程中，金属浆料不至于烧穿n+多晶硅层，这层n+多晶硅层的厚度必须大于100nm，但n+多晶硅层的厚度越大，背面的自由载流子吸收越严重。

发明内容

本实用新型的目的是提供一种后刻蚀式N型接触钝化电池，既可以减少背面的自由载流子吸收，提升双面电池的双面率，又消除金属化区域的金属复合，进一步提升N型接触钝化电池转化效率。

为达到上述目的，本实用新型采用的技术方案是：一种后刻蚀式N型接触钝化电池，包括N型硅片、设于所述N型硅片正面一侧的正面结构以及设于所述N型硅片背面一侧的背面结构，所述背面结构包括隧穿层、n+多晶硅层、背面钝化层以及背面金属电极，所述隧穿层、所述n+多晶硅层以及所述背面钝化层沿渐远所述N型硅片的方向依次设置，所述n+多晶硅层朝向所述背面钝化层的表面局部凸出并嵌入所述背面钝化层中，所述背面金属电极贯穿所述背面钝化层，所述背面金属电极的内端与所述n+多晶硅层的凸出部份接触，其中，所述n+多晶硅层的非凸出部份的厚度为10-50nm，所述n+多晶硅层的凸出部份的厚度为50-250nm。

进一步的，所述n+多晶硅层的凸出部份和非凸出部份为通过掩膜刻蚀形成凸出部份和非凸出部份。

进一步的，所述隧穿层为通过沉积形成隧穿层。

进一步的，所述n+多晶硅层为通过沉积形成n+多晶硅层。

进一步的，所述背面钝化层均为减反钝化膜。

进一步的，所述正面结构包括p+掺杂层、正面钝化层以及正面金属电极，所述p+掺杂层和所述正面钝化层沿渐远所述N型硅片的方向依次设置，所述正面金属电极贯穿所述正面钝化层，所述正面金属电极的内端与所述p+掺杂层接触。

进一步的，所述p+掺杂层的掺杂剂为三溴化硼。

进一步的，所述p+掺杂层为通过气载掺杂剂的方式形成的p+掺杂层。

进一步的，所述正面钝化层为减反钝化膜。

由于上述技术方案运用，本实用新型与现有技术相比具有下列优点：本实用新型公开的后刻蚀式N型接触钝化电池，针对N型接触钝化双面电池，目前背面受限于金属浆料烧穿性的限制，产业化电池光电转化效率依旧较低，通过在金属浆料接触区域局部加厚的设计，进一步提升N型接触钝化双面电池效率。

附图说明