[实用新型]一种阵列基板及显示面板

权利要求书

1.一种阵列基板，其特征在于，包括：衬底基板、栅极、栅极绝缘层、金属氧化物层、刻蚀阻挡层、源极、漏极、钝化层、像素电极和遮光层；

所述栅极位于所述衬底基板上方，所述栅极绝缘层覆盖在所述栅极和所述衬底基板上方，所述金属氧化物层和所述刻蚀阻挡层依次设置在所述栅极绝缘层上并与所述栅极对应，所述源极和所述漏极分别设置在所述刻蚀阻挡层上，所述源极和所述漏极之间具有沟槽区，且所述沟槽区延伸到所述刻蚀阻挡层；

所述钝化层覆盖在所述栅极绝缘层、所述源极、所述漏极以及所述沟槽区上，且位于所述漏极上方的所述钝化层上具有导电过孔，所述像素电极位于所述钝化层上，且所述像素电极通过所述导电过孔与所述漏极连通，所述遮光层位于所述钝化层上，且所述遮光层至少覆盖所述沟槽区。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述遮光层为主间隔物。

3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，还包括：栅极线，所述栅极线与所述栅极位于同一层，所述遮光层为子间隔物，在所述像素电极上与所述栅极线相对应的位置处设置有主间隔物。

4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述遮光层的成型材料为黑矩阵的成型材料，包括不透光的金属材料或不透光的有机材料。

5.根据权利要求1-4任一所述的阵列基板，其特征在于，所述金属氧化物层的厚度为所述刻蚀阻挡层的厚度的2-10倍。

6.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述金属氧化物层的厚度为所述刻蚀阻挡层的厚度为

7.根据权利要求1-4任一所述的阵列基板，其特征在于，所述刻蚀阻挡层为抗酸性刻蚀液腐蚀的金属氧化物半导体层。

8.根据权利要求7所述的阵列基板，其特征在于，所述金属氧化物层包括：非晶IGZO，HIZO、IZO、a-InZnO、a-InZnO、ZnO:F、In₂O₃:Sn、In₂O₃:Mo、Cd₂SnO₄、ZnO:Al、TiO₂:Nb、Cd-Sn-O或其他金属氧化物。

9.根据权利要求8所述的阵列基板，其特征在于，所述刻蚀阻挡层包括：Ln-ZTO、ITZO、IGO、多晶IGZO、CAAC-IGZO或其他耐酸性腐蚀型金属氧化物。

10.一种显示面板，其特征在于，包括彩膜基板、液晶层以及上述权利要求1-9任一所述的阵列基板，所述彩膜基板和所述阵列基板对盒设置，所述液晶层位于所述彩膜基板和所述阵列基板之间。