[实用新型]一种阵列基板及显示面板

说明书

本实用新型提供一种阵列基板及显示面板，阵列基板包括衬底基板、栅极、栅极绝缘层、金属氧化物层、刻蚀阻挡层、源极、漏极、钝化层、像素电极和遮光层，栅极位于衬底基板上方，栅极绝缘层覆盖在栅极和衬底基板上方，金属氧化物层和刻蚀阻挡层依次设在栅极绝缘层上并与栅极对应，源极和漏极设在刻蚀阻挡层上，源极和漏极之间具有沟槽区，且沟槽区延伸到刻蚀阻挡层。钝化层覆盖在栅极绝缘层、源极、漏极上，位于漏极上方的钝化层上具有导电过孔，像素电极位于钝化层上并通过导电过孔与漏极连通，遮光层位于钝化层上，遮光层至少覆盖沟槽区，解决了现有的阵列基板中半导体层易产生光载流子，而影响显示质量的问题。

技术领域

本实用新型涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板及显示面板。

背景技术

液晶显示面板具有机身薄、省电、无辐射等众多优点，被广泛的应用于电视、电脑、手机等电子产品中。液晶显示面板通常包括阵列基板(TFT基板)、与该阵列基板相对的彩膜基板(CF基板)以及夹设于该阵列基板和彩膜基板之间的液晶层，其中，阵列基板上设置有呈矩阵式排列的薄膜晶体管(Thin FilmTransistor，TFT)，彩膜基板上通常设置有用于滤光的彩色色阻层、用于遮光及防止不同颜色光混色的黑色矩阵(Black Matrix，BM)、以及用于支撑阵列基板和彩膜基板之间的液晶层盒厚(Cell Gap)的光阻间隔物(Photo Spacer，PS)。

目前，现有的阵列基板包括衬底基板，衬底基板上设置有多个薄膜晶体管，该薄膜晶体管包括设置在衬底基板上方的栅极，在栅极和衬底基板上方还覆盖有栅极绝缘层，在栅极绝缘层上与栅极相对应的位置设置金属氧化物半导体层形成的有源岛，在该金属氧化物半导体层上设置有源极和漏极，且源极和漏极之间具有沟道区，还包括有钝化层，钝化层覆盖在栅极绝缘层、源极和漏极上，且在漏极上方的钝化层上形成有导电过孔，在该钝化层上覆盖有像素电极，像素电极通过导电过孔与漏极导通。

然而，上述的阵列基板在与彩膜基板对盒后，经彩膜基板反射的光会照射到源极和漏极之间的沟道区上，沟道区内的半导体层在光照下容易产生载流子，增大TFT的漏电流，影响显示质量。

实用新型内容

本实用新型提供一种阵列基板及显示面板，以解决现有的阵列基板中半导体层易产生光载流子，导致TFT漏电流增大而影响显示质量的问题。

本实用新型提供一种阵列基板，包括：衬底基板、栅极、栅极绝缘层、金属氧化物层、刻蚀阻挡层、源极、漏极、钝化层、像素电极和遮光层；

所述栅极位于所述衬底基板上方，所述栅极绝缘层覆盖在所述栅极和所述衬底基板上方，所述金属氧化物层和所述刻蚀阻挡层依次设置在所述栅极绝缘层上并与所述栅极对应，所述源极和所述漏极分别设置在所述刻蚀阻挡层上，所述源极和所述漏极之间具有沟槽区，且所述沟槽区延伸到所述刻蚀阻挡层；

所述钝化层覆盖在所述栅极绝缘层、所述源极、所述漏极以及所述沟槽区上，且位于所述漏极上方的所述钝化层上具有导电过孔，所述像素电极位于所述钝化层上，且所述像素电极通过所述导电过孔与所述漏极连通，所述遮光层位于所述钝化层上，且所述遮光层至少覆盖所述沟槽区。

在本实用新型的具体实施方式中，所述遮光层为主间隔物。

在本实用新型的具体实施方式中，还包括：栅极线，所述栅极线与所述栅极位于同一层，所述遮光层为子间隔物，在所述像素电极上与所述栅极线相对应的位置处设置有主间隔物。

在本实用新型的具体实施方式中，所述遮光层的成型材料为黑矩阵的成型材料，包括不透光的金属材料或不透光的有机材料。

在本实用新型的具体实施方式中，所述金属氧化物层的厚度为所述刻蚀阻挡层的厚度的2-10倍。

在本实用新型的具体实施方式中，所述金属氧化物层的厚度为所述刻蚀阻挡层的厚度为