[实用新型]一种LED芯片、生长基板、LED芯片转移装置有效
申请号: | 201921837787.1 | 申请日: | 2019-10-29 |
公开(公告)号: | CN211480078U | 公开(公告)日: | 2020-09-11 |
发明(设计)人: | 董小彪;曹轩;夏继业;姚志博;李晓伟;王岩;郭剑 | 申请(专利权)人: | 云谷(固安)科技有限公司 |
主分类号: | H01L33/44 | 分类号: | H01L33/44;H01L27/15;H01L21/67 |
代理公司: | 广东君龙律师事务所 44470 | 代理人: | 丁建春 |
地址: | 065500 河*** | 国省代码: | 河北;13 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 led 芯片 生长 转移 装置 | ||
1.一种LED芯片,其特征在于,包括:
芯片主体,所述芯片主体一侧设置有电极;
非导电的磁性平坦化层,所述磁性平坦化层覆盖所述芯片主体具有所述电极的一侧;所述磁性平坦化层与所述电极齐平,所述电极从所述磁性平坦化层中露出;或者,所述磁性平坦化层凸出于所述电极,所述磁性平坦化层对应所述电极的位置设置有过孔,所述电极从所述过孔中露出;其中,所述磁性平坦化层设置成允许在外部转移装置所产生的磁性吸附力的作用下被吸附,进而使得所述LED芯片被吸附。
2.一种生长基板,其特征在于,所述生长基板包括:
透明衬底;
多个权利要求1所述的LED芯片,且多个所述LED芯片设置在所述透明衬底上,所述芯片主体未设置所述非导电的磁性平坦化层的一侧与所述透明衬底直接接触。
3.一种LED芯片转移装置,其特征在于,所述转移装置用于转移所述LED芯片,其中,所述LED芯片包括芯片主体以及非导电的磁性平坦化层,所述磁性平坦化层覆盖所述芯片主体具有电极的一侧;所述磁性平坦化层与所述电极齐平,所述电极从所述磁性平坦化层中露出;或者,所述磁性平坦化层凸出于所述电极,所述磁性平坦化层对应所述电极的位置设置有过孔,所述电极从所述过孔中露出;
所述转移装置包括:
磁性接收基板,用于产生作用于所述磁性平坦化层的磁性吸附力,以固定所述LED芯片的位置。
4.根据权利要求3所述的转移装置,其特征在于,
所述磁性接收基板包括基板主体以及设置于所述基板主体内部的线圈;所述转移装置还包括控制组件,所述控制组件与所述线圈电连接,所述控制组件控制所述线圈产生或者去除所述磁性吸附力。
5.根据权利要求3所述的转移装置,其特征在于,所述磁性接收基板为平整的板状,所述转移装置还包括:
限位基板,设置于所述磁性接收基板一侧,包括多个阵列排布的凹槽,一个所述凹槽对应容纳一个所述LED芯片,且所述凹槽的深度不超过所述LED芯片的厚度;
或,限位基板,设置于所述磁性接收基板一侧,包括多个阵列排布的贯通槽,一个所述贯通槽对应接收一个所述LED芯片,且所述贯通槽的深度不超过所述LED芯片的厚度。
6.根据权利要求5所述的转移装置,其特征在于,所述转移装置还包括:
粘附层,位于所述磁性接收基板与所述限位基板之间,用于将所述磁性接收基板和所述限位基板位置固定。
7.根据权利要求3所述的转移装置,其特征在于,所述LED芯片还包括透明衬底,所述芯片主体未设置所述非导电的磁性平坦化层的一侧与所述透明衬底直接接触;
所述转移装置还包括:
激光剥离装置,用于产生激光并作用于所述芯片主体,以使得所述芯片主体与所述透明衬底分离。
8.根据权利要求7所述的转移装置,其特征在于,所述转移装置还包括:
转移头,用于在所述激光剥离装置将所述芯片主体与所述透明衬底分离后,将所述LED芯片从所述磁性接收基板上转移。
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