[实用新型]一种LED芯片、生长基板、LED芯片转移装置有效

专利信息
申请号: 201921837787.1 申请日: 2019-10-29
公开(公告)号: CN211480078U 公开(公告)日: 2020-09-11
发明(设计)人: 董小彪;曹轩;夏继业;姚志博;李晓伟;王岩;郭剑 申请(专利权)人: 云谷(固安)科技有限公司
主分类号: H01L33/44 分类号: H01L33/44;H01L27/15;H01L21/67
代理公司: 广东君龙律师事务所 44470 代理人: 丁建春
地址: 065500 河*** 国省代码: 河北;13
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摘要:
搜索关键词: 一种 led 芯片 生长 转移 装置
【说明书】:

本申请公开了一种LED芯片、生长基板、LED芯片转移装置,所述LED芯片,包括:芯片主体,所述芯片主体一侧设置有电极;非导电的磁性平坦化层,所述磁性平坦化层覆盖所述芯片主体具有所述电极的一侧;所述磁性平坦化层与所述电极齐平,所述电极从所述磁性平坦化层中露出;或者,所述磁性平坦化层凸出于所述电极,所述磁性平坦化层对应所述电极的位置设置有过孔,所述电极从所述过孔中露出;其中,所述磁性平坦化层设置成允许在外部转移装置所产生的磁性吸附力的作用下被吸附,进而使得所述LED芯片被吸附。通过上述方式,本申请能够在激光剥离时利用磁性吸附力固定LED芯片。

技术领域

本申请涉及显示技术领域,特别是涉及一种LED芯片、生长基板、LED芯片转移装置。

背景技术

LED(Light Emitting Diode,发光二极管)芯片显示技术具有高亮度、高响应速度、低功耗、长寿命等优点,成为人们追求新一代显示技术的研究热点。

目前,在LED显示面板制备过程中,激光剥离和批量转移是十分重要的两道工艺。其中,在激光剥离时产生的瞬间冲击波会造成LED芯片断裂、缺角等现象。此外,在利用转移头进行批量转移时,可能会造成转移头表面发生形变,从而使得拾取后的LED芯片之间的间距发生改变,影响后续工艺和LED显示面板的性能。

实用新型内容

本申请主要解决的技术问题是提供一种LED芯片、生长基板、LED芯片转移装置,能够在激光剥离时利用磁性吸附力固定LED芯片。

为解决上述技术问题,本申请采用的一个技术方案是:提供一种LED芯片,包括:芯片主体,所述芯片主体一侧设置有电极;非导电的磁性平坦化层,所述磁性平坦化层覆盖所述芯片主体具有所述电极的一侧;所述磁性平坦化层与所述电极齐平,所述电极从所述磁性平坦化层中露出;或者,所述磁性平坦化层凸出于所述电极,所述磁性平坦化层对应所述电极的位置设置有过孔,所述电极从所述过孔中露出;其中,所述磁性平坦化层设置成允许在外部转移装置所产生的磁性吸附力的作用下被吸附,进而使得所述LED芯片被吸附。

其中,所述非导电的磁性平坦化层包括光刻胶和非导电磁性粒子。该设计方式可以使得形成磁性平坦化层时工艺较为简单。

其中,所述非导电磁性粒子为软磁铁氧体或六方晶系铁氧体。上述材质的非导电磁性粒子成本较低。

为解决上述技术问题,本申请采用的另一个技术方案是:提供一种生长基板,所述生长基板包括:透明衬底;上述任一实施例所述的LED芯片,且多个所述LED芯片设置在所述透明衬底上,所述芯片主体未设置所述非导电的磁性平坦化层的一侧与所述透明衬底直接接触。

为解决上述技术问题,本申请采用的又一个技术方案是:提供一种LED芯片转移装置,所述转移装置用于转移所述LED芯片,其中,所述LED芯片包括芯片主体以及非导电的磁性平坦化层,所述磁性平坦化层覆盖所述芯片主体具有电极的一侧,所述磁性平坦化层与所述电极齐平,所述电极从所述磁性平坦化层中露出;或者,所述磁性平坦化层凸出于所述电极,所述磁性平坦化层对应所述电极的位置设置有过孔,所述电极从所述过孔中露出;所述转移装置包括:磁性接收基板,用于产生作用于所述磁性平坦化层的磁性吸附力,以固定所述LED芯片的位置。

其中,所述磁性接收基板包括基板主体以及设置于所述基板主体内部的线圈;所述转移装置还包括控制组件,所述控制组件与所述线圈电连接,所述控制组件控制所述线圈产生或者去除所述磁性吸附力。上述设计结构较为简单,可使得后续转移头批量转移LED芯片时效率较高。

其中,所述磁性接收基板为平整的板状,所述转移装置还包括:限位基板,设置于所述磁性接收基板一侧,包括多个阵列排布的凹槽,一个所述凹槽对应容纳一个所述LED芯片,且所述凹槽的深度不超过所述LED芯片的厚度。该限位基板的设置可以更好地限定LED芯片的位置,以使得在激光剥离以及转移过程中LED芯片位置不容易发生变动,减轻LED芯片相互之间的影响。

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