[实用新型]一种硅处理纯水清洗处理机构有效
申请号: | 201921842493.8 | 申请日: | 2019-10-28 |
公开(公告)号: | CN210788411U | 公开(公告)日: | 2020-06-19 |
发明(设计)人: | 石坚;于友 | 申请(专利权)人: | 山东九思新材料科技有限责任公司 |
主分类号: | B08B3/10 | 分类号: | B08B3/10;B08B13/00 |
代理公司: | 济南舜昊专利代理事务所(特殊普通合伙) 37249 | 代理人: | 赵阳 |
地址: | 273213 山东省*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 处理 纯水 清洗 机构 | ||
本实用新型提供一种硅处理纯水清洗处理机构,包括:依次串联连接的第一清洗槽,第二清洗槽以及第三清洗槽;第一清洗槽,第二清洗槽以及第三清洗槽上端开口,将待清洗的硅片放入。第一清洗槽的进液孔,第二清洗槽的进液孔以及第三清洗槽的进液孔分别与输液管道连接。将清洗液通过输液管道传输到第一清洗槽,第二清洗槽以及第三清洗槽。并且第一清洗槽,第二清洗槽以及第三清洗槽的液位高度不同。第三清洗槽液位最高,其次是第二清洗槽,最低的是第一清洗槽。这样清洗液通过通孔依次流通,并由回液驱动泵驱动形成环流,提高清洗效果,保证清洗过程的清洗质量,去除硅片表面的杂质,避免对硅片的后续使用造成影响。
技术领域
本实用新型涉及硅处理技术领域,尤其涉及一种硅处理纯水清洗处理机构。
背景技术
硅具有半导体性质。硅主要用来制作高纯半导体、耐高温材料、光导纤维通信材料、有机硅化合物、合金等,被广泛应用于航空航天、电子电气、建筑、运输、能源、化工、纺织、食品、轻工、医疗、农业等行业。
在半导体器件中,对硅片的使用较为严格,硅片须经严格清洗。微量污染也会导致器件失效。清洗的目的在于清除表面污染杂质,包括有机物和无机物,会导致各种缺陷。
为了能够实现对使用前的硅片进行使用,目前主要通过清洗的方式来进行。清洗的过程是将硅片浸泡的在清洗液内部,经过一定时间后,取出硅片再进行使用。这种清洗过程较难洗净硅片表面的杂质,进而对后续使用造成影响。
实用新型内容
为了克服上述现有技术中的不足,本实用新型提供一种硅处理纯水清洗处理机构,包括:依次串联连接的第一清洗槽,第二清洗槽以及第三清洗槽;
第一清洗槽的侧壁,第二清洗槽的侧壁以及第三清洗槽的侧壁分别设有液位计以及进液孔;
第一清洗槽的侧壁上还设有第一回液孔;
第三清洗槽的侧壁上还设有第二回液孔;
第一清洗槽与第二清洗槽之间的第一侧壁上设有通孔一;
第二清洗槽与第三清洗槽之间的第二侧壁上设有通孔二;
通孔一的设置高度高于通孔二的设置高度;
第一回液孔与第二回液孔通过回液管道连接,回液管道上设有回液驱动泵。
优选地,靠近第一侧壁设置有第一挡板;第一挡板固设在第二清洗槽的侧壁上;
第一挡板的下端与第二清洗槽的底部设有间距;
第一挡板的上端与第二清洗槽的上沿平齐。
优选地,靠近第二侧壁设置有第二挡板;第二挡板固设在第一清洗槽的侧壁上;
第二挡板的下端与第一清洗槽的底部设有间距;
第一挡板的上端与第一清洗槽的上沿平齐。
优选地,第一清洗槽的底部内侧,第二清洗槽的底部内侧以及第三清洗槽的底部内侧分别设有鼓泡喷出管路;
鼓泡喷出管路呈十字交叉设置在各个清洗槽的底部;
鼓泡喷出管路通过鼓泡连接管路连接鼓泡机。
优选地,第一清洗槽的底部外侧,第二清洗槽的底部外侧以及第三清洗槽的底部外侧分别连接有底排管道,底排管道上设有底排阀。
优选地,第一清洗槽的底部外侧,第二清洗槽的底部外侧以及第三清洗槽的底部外侧分别连接有支腿。
优选地,第一清洗槽的底部内侧,第二清洗槽的底部内侧以及第三清洗槽的底部内侧分别设有加热器。
优选地,第一清洗槽的进液孔,第二清洗槽的进液孔以及第三清洗槽的进液孔分别与输液管道连接。
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