[实用新型]半导体封装结构有效
| 申请号： | 201921844192.9 | 申请日： | 2019-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN210467824U | 公开（公告）日： | 2020-05-05 |
| 发明（设计）人： | 徐罕;林正忠;吴政达;陈彦亨;黄晗 | 申请（专利权）人： | 中芯长电半导体（江阴）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/552 | 分类号： | H01L23/552;H01L23/367;H01L23/31;H01L23/498;H01L21/48;H01L21/56 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 214437 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 封装 结构 | ||
1.一种半导体封装结构，其特征在于，所述半导体封装结构包括：
重新布线层，所述重新布线层包括相对的上表面及下表面；
导电结构，位于所述重新布线层的上表面，且与所述重新布线层电连接；
塑封材料层，位于所述重新布线层及所述导电结构的上表面，所述塑封材料层内具有开口，所述开口暴露出部分所述导电结构；
封装元件，位于所述开口内，且与所述开口内的所述导电结构电连接。
2.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于：所述开口为2个以上。
3.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于：所述导电结构包括凸块下金属层和金属焊球，所述凸块下金属层位于所述重新布线层的上表面，所述金属焊球位于所述凸块下金属层的上表面，所述凸块下金属层的高度为5μm～10μm。
4.根据权利要求3所述的半导体封装结构，其特征在于：所述凸块下金属层自下而上依次包括铬层、铬铜合金层及铜层。
5.根据权利要求3所述的半导体封装结构，其特征在于：所述凸块下金属层具有凹陷部，所述金属焊球位于所述凹陷部内。
6.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于：所述导电结构包括金属柱，所述金属柱包括锡层、银层、铜层和镍层中的一种或多种，所述金属柱的高度为45μm～100μm。
7.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于：所述半导体封装结构还包括键合材料层，所述键合材料层位于所述重新布线层的下表面。
8.根据权利要求7所述的半导体封装结构，其特征在于：所述键合材料层包括UV胶带和树脂材料层中的一种或两种。
9.根据权利要求7所述的半导体封装结构，其特征在于：所述半导体封装结构还包括保护层，所述保护层位于所述键合材料层远离所述重新布线层的表面。
10.根据权利要求1-9任一项所述的半导体封装结构，其特征在于：所述封装元件的上表面低于所述塑封材料层的上表面。
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