[实用新型]半导体封装结构

说明书

本实用新型提供一种半导体封装结构。半导体封装结构包括重新布线层、导电结构、塑封材料层及封装元件；重新布线层包括相对的上表面及下表面；导电结构位于重新布线层的上表面，且与重新布线层电连接；塑封材料层位于重新布线层的上表面，塑封材料层内具有开口，开口暴露出部分导电结构；封装元件位于开口内，且与开口内的导电结构电连接。本实用新型的封装结构有助于制备工艺的简化和确保器件的性能，此外还有助于降低封装结构的整体尺寸，且有利于改善器件的散热，同时所述塑封材料层可起到良好的保护和电磁屏蔽作用，使得器件的整体性能极大提升。采用本实用新型的半导体封装结构，有助于降低生产成本，提高器件性能。

技术领域

本实用新型涉及半导体封装制造领域，特别是涉及一种半导体封装结构。

背景技术

随着电子信息产业技术的飞速发展，单个电子器件所实现的功能越来越多，这就使得在封装过程中，单个封装结构中所需封装的电子元件越来越多。这带来不少问题。比如，由于元件密集度增加，元件工作时产生的热量越来越大，故改善器件的散热问题变得越来越紧迫。其次，减少外界环境对元件的电磁干扰以及减少元件之间的电磁干扰也是需要考虑的问题。另外，由于单个封装结构中所需封装的元件较多，容易导致最终封装出的结构尺寸偏大，这与电子器件尺寸日益缩小的消费诉求相矛盾。

现有的半导体器件封装通常是在将电子元件和电连接结构电连接之后通过旋涂、模塑等工艺形成塑封材料层将电子元件完全包覆，之后在塑封材料层中形成开口，然后在开口内沉积金属材料以将封装结构电性导出。这种传统封装方法和封装结构使得元件的散热和电磁干扰等问题越来越严重，且在开口内沉积金属材料的难度比较大，容易导致器件接触不良。

实用新型内容

鉴于以上所述现有技术的缺点，本实用新型的目的在于提供一种半导体封装结构，用于解决现有技术中封装后的结构尺寸偏大、元件的散热和/或电磁干扰严重、形成导电材料的难度比较大、容易导致器件接触不良等问题。

为实现上述目的及其他相关目的，本实用新型提供一种半导体封装结构，所述半导体封装结构包括重新布线层、导电结构、塑封材料层及封装元件，所述重新布线层包括相对的上表面及下表面；所述导电结构位于所述重新布线层的上表面，且与所述重新布线层电连接；所述塑封材料层位于所述重新布线层及所述导电结构的上表面，所述塑封材料层内具有开口，所述开口暴露出部分所述导电结构；所述封装元件位于所述开口内，且与所述开口内的所述导电结构电连接。

可选地，所述开口为2个以上。

可选地，所述导电结构包括凸块下金属层和金属焊球，所述凸块下金属层位于所述重新布线层的上表面，所述金属焊球位于所述凸块下金属层的上表面，所述凸块下金属层的高度为5μm～10μm。

更可选地，所述凸块下金属层自下而上依次包括铬层、铬铜合金层及铜层。

可选地，所述凸块下金属层具有凹陷部，所述金属焊球位于所述凹陷部内。

可选地，所述导电结构包括金属柱，所述金属柱包括锡层、银层、铜层和镍层中的一种或多种，所述金属柱的高度为45μm～100μm。

可选地，所述半导体封装结构还包括键合材料层，所述键合材料层位于所述重新布线层的下表面。

可选地，所述键合材料层包括UV胶带和树脂材料层中的一种或两种。

可选地，所述半导体封装结构还包括保护层，所述保护层位于所述键合材料层远离所述重新布线层的表面。

可选地，所述封装元件的上表面低于所述塑封材料层的上表面。