[实用新型]平台冷却站有效
| 申请号： | 201921848301.4 | 申请日： | 2019-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN211150518U | 公开（公告）日： | 2020-07-31 |
| 发明（设计）人： | 李东 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;F26B21/14;B08B5/02 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 201315*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 平台 冷却 | ||
【权利要求书】：
1.一种平台冷却站，用于对基底降温，包括一用于放置所述基底的内腔，其特征在于，所述平台冷却站还包括与所述内腔连通的进气口和出气口，所述进气口与一气源相通，用于向所述内腔通入保护气体，所述出气口用于所述内腔向外界排出气体。
2.如权利要求1所述的平台冷却站，其特征在于，所述平台冷却站用于LAM2300型号机台。
3.如权利要求1所述的平台冷却站，其特征在于，所述平台冷却站包括上底面、下底面和多个侧壁，所述下底面用于承载所述基底，所述进气口设置在其中一个侧壁上，所述出气口设置在与所述其中一个侧壁相对的另一侧壁上。
4.如权利要求3所述的平台冷却站，其特征在于，所述下底面上包含多个凸起，以使所述下底面通过所述凸起承载所述基底。
5.如权利要求4所述的平台冷却站，其特征在于，所述多个凸起阵列排布在所述下底面上。
6.如权利要求5所述的平台冷却站，其特征在于，所述气源为与所述进气口通过管道连接的气瓶。
7.如权利要求6所述的平台冷却站，其特征在于，所述平台冷却站的形状为六边形盒状。
8.如权利要求1至7所述的任一平台冷却站，其特征在于，所述保护气体为惰性气体。
9.如权利要求8所述的平台冷却站，其特征在于，所述惰性气体为氮气。
10.如权利要求8所述的平台冷却站，其特征在于，所述惰性气体为氩气。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
