[实用新型]平台冷却站有效
申请号: | 201921848301.4 | 申请日: | 2019-10-30 |
公开(公告)号: | CN211150518U | 公开(公告)日: | 2020-07-31 |
发明(设计)人: | 李东 | 申请(专利权)人: | 上海华力微电子有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;F26B21/14;B08B5/02 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 曹廷廷 |
地址: | 201315*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 平台 冷却 | ||
本实用新型提供了一种平台冷却站,用于对基底降温,包括一用于放置所述基底的内腔,其特征在于,所述平台冷却站还包括与所述内腔连通的进气口和出气口,所述进气口与一气源相通,用于向所述内腔通入保护气体,所述出气口用于所述内腔向外界排出气体;保护气体进入到冷却站中,挤压出冷却站中的残留气体,如溴化氢气体、氯气以及含氟的相关气体和空气,保证冷却站内的正压和干燥。
技术领域
本实用新型涉及干法刻蚀设备领域,特别涉及一种平台冷却站。
背景技术
现代社会随着科技的快速发展,高科技电子产品使用于日常生活已是相当普遍,电子产品内部皆装设并布满许多半导体器件,而半导体器件的材料来源就是基底,为了能够满足各式高科技电子产品的大量需求,故基底生产产业皆以如何更加快速且精确制造出基底为目标,不断地进行研发与改良突破。在基底生产过程中,基底从工作腔出来时候的温度大约为80℃至170℃,需要经过冷却到一定温度(一般为50℃)以下才能进行后续工艺。此时,基底生产工艺流程中的冷却设备就起到了关键的作用,平台冷却站作为干法刻蚀工艺设备的重要传送路径之一,其主要作用是:对经过高温工艺后的基底起到降温作用,以防止高温对于传送盒中的其他基底造成影响。
现有技术的平台冷却站,仅仅是将基底放置空冷,基底在结束刻蚀的工艺后,由于基底表面会存在加工过程中的残留溴化氢气体、氯气以及含氟的相关气体,当基底在平台冷却站中停留降温过程中,由于残留气体的特殊性质,将会与大气中的水分子结合反应后形成酸性物质,该酸性物质将会对平台冷却站的内部组件产生腐蚀作用,从而损害平台冷却站,影响平台冷却站的使用寿命,另一方面会增加基底遭受缺陷的几率,影响产品良率。
因此,有必要提供一种使用寿命高且不影响基底良品率的平台冷却站。
实用新型内容
鉴于上述原因,本实用新型提供一种平台冷却站,可以解决现有技术中平台冷却站受到腐蚀和基底遭受缺陷的问题。
为实现上述目的和相关其他目的,本实用新型提供一种平台冷却站,用于对基底降温,包括一用于放置所述基底的内腔,其特征在于,所述平台冷却站还包括与所述内腔连通的进气口和出气口,所述进气口与一气源相通,用于向所述内腔通入保护气体,所述出气口用于所述内腔向外界排出气体。
优选地,所述平台冷却站用于LAM2300型号机台。
优选地,所述平台冷却站包括上底面、下底面和多个侧壁,所述下底面用于承载所述基底,所述进气口设置在其中一个侧壁上,所述出气口设置在与所述其中一个侧壁相对的另一侧壁上。
优选地,所述下底面上包含多个凸起,以使所述下底面通过所述凸起承载所述基底。
优选地,所述多个凸起阵列排布在所述下底面上。
优选地,所述气源为与所述进气口通过管道连接的气瓶。
优选地,所述平台冷却站的形状为六边形盒状。
优选地,所述保护气体为惰性气体。
优选地,所述惰性气体为氮气。
优选地,所述惰性气体为氩气。
综上所述,在所述平台冷却站的侧边或者其他位置添加一路保护气体,以及与之对应的保护气体出口,从而保持冷却站内部为正压,保护气体将会挤压出残留气体,使冷却站内部保持干燥,减少残留气体,如溴化氢气体、氯气以及含氟的相关气体在平台冷却站中的停留时间,避免基底在加工后的存在于基底表面的残留气体在冷却站中停留时间过长,与大气中水分子反应生成酸性物质造成冷却站腐蚀状况,从而提高了平台冷却站的使用寿命,减少了产品遭受缺陷的风险,改善了产品良率;并且,由于增加了一通保护气体,从而增加了基底表面附近的空气流通,使得基底的冷却速度提升,节约了基底在平台冷却站中的停留时间,提升了工作效率。
附图说明
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华力微电子有限公司,未经上海华力微电子有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201921848301.4/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种生物工程用粪便破碎打浆装置
- 下一篇:一种多级打孔式打孔钻
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造